ECLI:DE:BPatG:2017:301117B23Wpat60.17.0


BUNDESPATENTGERICHT



23 W (pat) 60/17
_______________
(Aktenzeichen)



Verkündet am
30. November 2017
…




B E S C H L U S S

In der Beschwerdesache

…








betreffend die Patentanmeldung 10 2010 064 653
(Teilungsanmeldung aus 10 2010 042 381, Beschwerdesache 23 W (pat) 7/15)

hat der 23. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf
die mündliche Verhandlung vom 30. November 2017 unter Mitwirkung des Vorsit-
zenden Richters Dr. Strößner und der Richter Brandt, Dr. Friedrich und
Dr. Himmelmann
- 2 -
beschlossen:

1. Der Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H01L des Deut-
schen Patent- und Markenamts vom 13. März 2015 wird
auch mit Wirkung für die am 27. Februar 2017 erklärte Tei-
lung der Patentanmeldung 10 2010 042 381.5 aufgehoben.

2. Es wird ein Patent erteilt mit der Bezeichnung „Verfahren zur
Herstellung einer Halbleitervorrichtung“, dem Anmeldetag
13. Oktober 2010 unter Inanspruchnahme der Priorität
JP 2009-235995 vom 13. Oktober 2009 auf der Grundlage
folgender Unterlagen:
- Patentanspruch 1, überreicht in der mündlichen Ver-
handlung am 30. November 2017;
- Patentansprüche 2 und 3,
- Beschreibungsseiten 1 bis 34,
- 12 Blatt Zeichnungen mit Figuren 1 bis 31, jeweils ein-
gegangen am 27. Februar 2017.


G r ü n d e

I.

Die vorliegende Teilungsanmeldung 10 2010 064 653.9 mit der Bezeichnung
„Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung“ geht auf die Stammanmel-
dung 10 2010 042 381.5 zurück. Die Stammanmeldung wurde am
13. Oktober 2010 mit der Bezeichnung „Halbleitervorrichtung und Verfahren zur
Herstellung einer Halbleitervorrichtung“ beim Deutschen Patent- und Markenamt
eingereicht und nimmt die Priorität der japanischen Anmeldung JP 2009-235 995
vom 13. Oktober 2009 in Anspruch.
- 3 -
In der Stammanmeldung hat die Prüfungsstelle für Klasse H01L des Deutschen
Patent- und Markenamts auf den Stand der Technik gemäß den Druckschriften

D1 US 6 429 501 B1
D2 US 6 054 748 A1
D3 US 6 476 458 B2
D4 US 2005/0 592 256 A1
D5 JP H08-306 937 A (von der Anmelderin genannt) und
D6 US 2001/0 053 581 A1

verwiesen und mangelnde Patentfähigkeit der Gegenstände der Patentsprüche
geltend gemacht. Nachdem die Anmelderin mit Schriftsatz vom
14. November 2014 als Hauptantrag die Patenterteilung mit den Ansprüchen 1 bis
11 vom 22. August 2012 und als Hilfsantrag die Patenterteilung mit den mit dem
Schriftsatz vom 14. November 2014 eingereichten neuen Patentansprüchen 1 bis
3 beantragt hat, hat die Prüfungsstelle mit Beschluss vom 13. März 2015 den
Hauptantrag zurückgewiesen und das Patent mit den Unterlagen des Hilfsantra-
ges erteilt.

Gegen diesen am 18. März 2015 zugestellten Beschluss hat die Anmelderin mit
Schriftsatz vom 15. April 2015, eingegangen am 15. April 2015, Beschwerde ein-
gelegt, die beim BPatG unter dem Aktenzeichen 23 W (pat) 7/15 geführt wurde. In
der mündlichen Verhandlung zu dieser Sache vom 10. Januar 2017 hat der Senat
den Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H01L des Deutschen Patent- und
Markenamts aufgehoben und ein Patent erteilt. Dieser Beschluss wurde der An-
melderin am 30. Januar 2017 zugestellt.

Mit Schriftsatz vom 27. Februar 2017, beim Bundespatentgericht eingegangen am
selben Tag, hat die Anmelderin gegenüber dem Bundespatentgericht die Teilung
der Patentanmeldung 10 2010 042 381 erklärt. Mit einem weiteren Schriftsatz hat
sie am selben Tag dem Deutschen Patent- und Markenamt einen Antrag auf Er-
- 4 -
teilung eines Patents in dieser Teilanmeldung übermittelt und hierzu folgende Un-
terlagen eingereicht:
- Beschreibung S. 1 bis 34,
- Patentansprüche 1 bis 3 und
- Figuren 1 bis 31,
beim Deutschen Patent- und Markenamt jeweils eingegangen am
27. Februar 2017. Das Deutsche Patent- und Markenamt hat zu dieser Teilungs-
anmeldung das Aktenzeichen 10 2010 064 653.9 vergeben und dem Bundespa-
tentgericht gegenüber den fristgerechten Eingang der Teilungsunterlagen sowie
der erforderlichen Teilungsgebühren bestätigt.

In der mündlichen Verhandlung beantragt die Anmelderin,

1. den Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H01L des Deut-
schen Patent- und Markenamts vom 13. März 2015 auch mit
Wirkung für die am 27. Februar 2017 erklärte Teilung der Pa-
tentanmeldung 10 2010 042 381.5 aufzuheben;

2. ein Patent zu erteilen mit der Bezeichnung „Verfahren zur
Herstellung einer Halbleitervorrichtung“, dem Anmeldetag
13. Oktober 2010 unter Inanspruchnahme der Priorität
JP 2009-235995 vom 13. Oktober 2009 auf der Grundlage
folgender Unterlagen:
- Patentanspruch 1, überreicht in der mündlichen Ver-
handlung am 30. November 2017;
- Patentansprüche 2 und 3,
- Beschreibungsseiten 1 bis 34,
- 12 Blatt Zeichnungen mit Figuren 1 bis 31, jeweils ein-
gegangen am 27. Februar 2017.

- 5 -
Der geltende Anspruch 1 lautet:

„1. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einer benachbart zu
einer Elektrodenschicht (8) angeordneten RESURF-Schicht (9) und einer Feld-
plattenelektrode (11), bei dem folgende Schritte in der genannten Reihenfolge
durchgeführt werden:

(A) Ausbilden eines vertieften Abschnitts (12) auf einer Oberfläche eines Halb-
leitersubstrats (7) eines ersten Leitungstyps,

(B) Ausbilden einer RESURF-Schicht (9) in dem Halbleitersubstrat (8) durch
lokales Implantieren von Verunreinigungen eines zweiten Leitungstyps in
die Bodenfläche des vertieften Abschnitts (12) des Halbleitersubstrats (7)
dergestalt, dass die RESURF-Schicht (9) auf ihrer Oberseite in Kontakt mit
der Bodenfläche des vertieften Abschnitts ist,

(C) Ausbilden einer Isolationsschicht (15) dergestalt, dass sie den vertieften
Abschnitt ausfüllt,

(D) lokales Implantieren von Verunreinigungen des zweiten Leitungstyps in das
Halbleitersubstrat (7) zum Ausbilden einer Elektrodenschicht (8) in der
Oberfläche des Halbleitersubstrats (7) dergestalt, dass
- die Elektrodenschicht (8) seitlich an den vertieften Abschnitt (12) an-
grenzt,
- die RESURF-Schicht (9) in Kontakt mit einer Bodenfläche der
Elektrodenschicht (8) ist und dass
- die Konzentration der Verunreinigungen des zweiten Leitungstyps in
der RESURF-Schicht (9) niedriger ist als die Konzentration der Ver-
unreinigungen des zweiten Leitungstyps in der Elektrodenschicht (8),

- 6 -
(E) Ausbilden einer Feldplattenelektrode (11) auf der Isolationsschicht über
dem vertieften Abschnitt (12).“

Hinsichtlich der Unteransprüche 2 und 3 und hinsichtlich der weiteren Einzelheiten
wird auf den Akteninhalt verwiesen.


II.

Der Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H01L des Deutschen Patent- und
Markenamts vom 13. März 2015 wird auch mit Wirkung für die Teilungsanmeldung
aufgehoben und es wird ein Patent für die Teilungsanmeldung erteilt. Der geltende
Anspruchssatz ist zulässig und das Verfahren nach seinem Anspruch 1 ist pa-
tentfähig, denn gegenüber dem nachgewiesenen Stand der Technik ist es neu und
beruht auf einer erfinderischen Tätigkeit des Fachmanns (§§ 3, 4 PatG).

Als Fachmann ist vorliegend ein in der Halbleiterindustrie tätiger und mit der Wei-
terentwicklung von Halbleiterbauelementen befasster Diplom-Physiker oder Dip-
lom-Ingenieur der Elektrotechnik mit Hochschulabschluss zu definieren.

1. Das Deutsche Patent- und Markenamt hat im Wege der Amtshilfe für die mit
Schriftsatz vom 27. Februar 2017 im Beschwerdeverfahren erklärte Teilung das
Aktenzeichen 10 2010 064 653.9 vergeben und dem Bundespatentgericht den
fristgerechten Eingang der Teilungsunterlagen sowie der erforderlichen Teilungs-
gebühren bestätigt. Die Teilungserklärung ist somit wirksam geworden.

Da die Teilung der Patentanmeldung 10 2010 042 381 im Beschwerdeverfahren
vor dem Bundespatentgericht angefallen ist, ist das Bundespatentgericht auch für
die Teilungsanmeldung zuständig und hat die Entscheidungskompetenz über
diese, vgl. Schulte, PatG, 10. Auflage, § 39, Rdn. 62 i. V. m. BGH GRUR 1998,
458, III.3, - „Textdatenwiedergabe“ m. w. N..
- 7 -
Die Prüfungsstelle hat schon in der Stammakte die grundsätzliche Patentfähigkeit
des beanspruchten Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung festge-
stellt. Mit dieser Feststellung gibt die Prüfungsstelle zu erkennen, dass sie zu die-
sem Anmeldungsgegenstand abschließend recherchiert hat. Da das Prüfungs-
verfahren sachgemäß durchgeführt worden ist und auch kein sonstiger eine Zu-
rückverweisung der Teilungsanmeldung an die Prüfungsstelle begründender
Sachverhalt zu erkennen ist, liegt kein Grund für eine Zurückverweisung der Tei-
lungsanmeldung an das DPMA vor. Da - wie im Folgenden noch dargelegt wird -
die Voraussetzungen für eine Patenterteilung erfüllt sind, ist vom Senat vielmehr
ein Beschluss über die Patenterteilung zu fassen. Da dieser Beschluss im Be-
schwerdeverfahren ergeht, weil die Teilungsanmeldung im Beschwerdeverfahren
anhängig geworden ist, ist mit der Patenterteilung auch der dem Beschwerdever-
fahren zugrundeliegende Beschluss der Prüfungsstelle mit Wirkung auf die Tei-
lungsanmeldung aufzuheben, mit dem die Prüfungsstelle im Prüfungsverfahren
die Zurückweisung der Anmeldung mit den Unterlagen nach Hauptantrag und die
Patenterteilung mit den Unterlagen nach Hilfsantrag beschlossen hat.

2. Die Anmeldung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrich-
tung.

Bei Halbleitervorrichtungen wie z. B. Dioden, Bipolartransistoren, Leistungs-MOS-
FETs und IGBTs sind hohe Durchbruchsspannungen in Sperr-Richtung erforder-
lich. Um diese zu gewährleisten, kommen neben Feldplattenstrukturen soge-
nannte RESURF-Strukturen zum Einsatz, wobei der Begriff RESURF für ein redu-
ziertes Oberflächenfeld („reduced surface field“) steht.

Eine kombinierte Feldplatten- und RESURF-Struktur ist bspw. in der von der An-
melderin genannten und im Prüfungsverfahren als Druckschrift D5 berücksichtig-
ten Druckschrift JP H08-306 937 A offenbart. Die Figur 3 dieser Druckschrift zeigt
einen Aufbau, bei dem im n-Substrat seitlich neben dem p-dotierten Anodengebiet
„2“ ein schwach dotiertes p--Gebiet „3“ als RESURF-Struktur angeordnet ist. Durch
- 8 -
die Anordnung dieses schwach p--dotierten Gebietes neben der p-Anode wird die
Feldstärkeverteilung gegenüber der ohne ein solches Gebiet verändert und
dadurch eine erhöhte Durchbruchsspannung erreicht, da sich beim Anlegen einer
Sperrspannung an die Anode „2“ die Verarmungsschicht zunächst lateral in das p--
Gebiet und erst dann in vertikaler Richtung in das n-Substrat hinein ausdehnt.
Die Anordnung nach der D5 weist außerdem seitlich zur RESURF-Schicht eine
Guard-Ring-Struktur „4“ sowie eine Kanalstopper-Region „9“ auf, die durch p-do-
tierte Gebiete in der Oberfläche des n-Substrats gebildet werden. Um Feldüberhö-
hungen an den Stellen, an denen die entsprechenden pn-Übergänge zwischen
den p-dotierten Gebieten und dem n-Substrat an die Oberfläche gelangen, zu
vermeiden, sind diese Stellen mit einer Feldplattenanordnung bedeckt, bei der
eine Isolationsschicht „5“ mit einer Feldplattenelektrode „71“ bedeckt ist.

Um zu verhindern, dass ein Avalanche-Durchbruch in der Nähe des Endes der
Feldplattenelektrode auftritt, muss die Isolationsschicht allerdings eine große Di-
cke aufweisen. Diese große Dicke führt jedoch zu einer relativ großen Unebenheit
in der Oberfläche der Anordnung, die sowohl zu Schwierigkeiten beim Auftrag des
Photoresists als auch zu einer Abnahme des Fokussierungsspielraums bei der
Photolithographie führt, vgl. S. 1 bis S. 2, 3. Abs. der geltenden Beschreibungs-
unterlagen.

Der vorliegenden Anmeldung liegt als technisches Problem die Aufgabe zugrunde,
ein Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung bereitzustellen, das in der
Lage ist, die Erzeugung einer Unebenheit während des Resistauftrags zu verhin-
dern, und das eine Verbesserung beim Fokussierungs-spielraum während der
Photolithographie erzielen kann, vgl. S. 3, le. Abs. der geltenden Beschreibungs-
unterlagen.

Diese Aufgabe wird gemäß dem geltenden Anspruch 1 durch ein Verfahren zum
Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einer benachbart zu einer Elektroden-
schicht angeordneten RESURF-Schicht und einer Feldplattenelektrode gelöst, bei
- 9 -
dem zunächst auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats eines ersten Lei-
tungstyps ein vertiefter Abschnitt ausgebildet wird. Durch lokales Implantieren von
Verunreinigungen eines zweiten Leitungstyps in die Bodenfläche des vertieften
Abschnitts wird dann eine RESURF-Schicht derart hergestellt, dass die RESURF-
Schicht auf ihrer Oberseite in Kontakt mit der Bodenfläche des vertieften Ab-
schnitts ist. Anschließend wird eine Isolationsschicht dergestalt ausgebildet, dass
sie den vertieften Abschnitt ausfüllt. Es folgt ein lokales Implantieren von Verun-
reinigungen des zweiten Leitungstyps in das Halbleitersubstrat zum Ausbilden ei-
ner Elektrodenschicht in der Oberfläche des Halbleitersubstrats, wobei die Elekt-
rodenschicht seitlich an den vertieften Abschnitt angrenzt, die RESURF-Schicht in
Kontakt mit einer Bodenfläche der Elektrodenschicht ist und die Konzentration der
Verunreinigungen des zweiten Leitungstyps in der RESURF-Schicht niedriger ist
als die Konzentration der Verunreinigungen des zweiten Leitungstyps in der Elekt-
rodenschicht. Abschließend wird eine Feldplattenelektrode auf der Isolations-
schicht über dem vertieften Abschnitt ausgebildet.

3. Der geltende Anspruchssatz ist zulässig.

Der geltende Anspruch 1 geht auf die ursprünglichen Ansprüche 8 und 9 der
Stammanmeldung sowie auf die Beschreibung zu den Figuren 12 bis 17 auf S. 18,
4. Abs. bis S. 23, 1. Abs. der Stammanmeldung bzw. S. 18, 2. Abs. bis S. 22, le.
Abs. der Teilungsanmeldung zurück. Die geltenden Unteransprüche 2 und 3 ent-
sprechen inhaltlich den ursprünglichen Unteransprüchen 10 und 11.

4. Das Verfahren nach Anspruch 1 ist patentfähig, denn es ist neu und beruht
auf einer erfinderischen Tätigkeit des Fachmanns (§§ 3, 4 PatG).

Die Druckschrift D5 offenbart ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervor-
richtung mit
- einem Halbleitersubstrat, das einen ersten Leitungstyp aufweist (n-type silicon
substrate 1) und eine obere Oberfläche aufweist,
- 10 -
- einer Elektrodenschicht, die in einer Oberfläche des Halbleitersubstrats so aus-
gebildet ist, dass sie einen zweiten Leitungstyp aufweist (p-type anode region 2),
- einer Isolationsschicht (oxide film 5), die auf der Deckfläche des Halbleitersub-
strats ausgebildet ist,
- einer RESURF-Schicht (p-type lightly doped diffused layer 3), die in dem Halb-
leitersubstrat so ausgebildet ist, dass sie in Kontakt zu der Bodenfläche der Iso-
lationsschicht ist und in Kontakt zu einer Bodenfläche der Elektrodenschicht ist
und Verunreinigungen des zweiten Leitungstyps in einer Konzentration aufweist,
die niedriger ist als die Konzentration der Elektrodenschicht (a p-type layer is
formed in an n-type silicon substrate / Abstract // the surface impurity concent-
ration of the layer 3 is set in a concentration of about 1x1016/cm3 or lower for
spreading effectively a depletion layer in this p-type layer 3 / Abstract i. V. m. der
Figur im Abstract),
- einer Feldplattenelektrode, die auf der Isolationsschicht ausgebildet ist (field
plate, which is formed using Al electrodes 71 [...], is provided on the oxide film 5 /
Abstract // Elektrode 7 auf dem Rand des Oxids 5, vgl. die Figuren 2 und 3).

Zur Herstellung der Halbleitervorrichtung mit der RESUERF-Schicht wird ein Fel-
doxid (field oxide 3) auf das Substrat aufgebracht und mit diesem Feldoxid als
Maske die schwach p-dotierte RESURF-Schicht ausgebildet (Using the field oxide
film 5 etc. as a mask on the n-type silicon substrate 1 first the low-impurity-con-
centration diffusion zone (p--layer) of p form 3 is formed / Abschnitt [0015] der Ma-
schinenübersetzung zur D5). Anschließend werden die p-dotierte El-
ektrodenschicht (anode region 2), die p-dotierten Guard-Ringe (guard rings 4) und
die Kanalstoppergebiete (stopper regions 9) sowie eine Feldplattenelektrode auf
dem Oxid gebildet (Next, by p form diffusion which can be formed simultaneously
with the p form anode region 2 of the active region 11, a plurality of guard rings 4
and stopper regions 9 are formed, and the field plate of a up to near the contiguity
guard ring 4 by Al electrode 71 is provided on an oxide film / Abschnitt [0015] der
Maschinenübersetzung zur D5).

- 11 -
Abgesehen davon, dass die D5 keine Angaben zur Reihenfolge dieser Schritte
macht, wird in ihr auch keine Anordnung der Isolationsschicht in einem vertieften
Abschnitt offenbart oder nahegelegt. Insofern ist das Verfahren nach dem oben
genannten Anspruch 1 gegenüber dem Stand der Technik gemäß der D5 neu und
beruht diesem gegenüber auch auf einer erfinderischen Tätigkeit des Fachmanns.

Die Druckschrift D1 offenbart eine Halbleitervorrichtung mit einem Halbleitersub-
strat, das einen ersten Leitungstyp aufweist (N-type substrate 11) und eine obere
Oberfläche, an der ein vertiefter Abschnitt (a recess 11A is formed in an edge
surface portion of the N-type substrate 11 / Sp. 3, Zeilen 23 und 24) ausgebildet
ist, mit
- einer Elektrodenschicht, die in einer Oberfläche des Halbleitersubstrats so aus-
gebildet ist, dass sie an den vertieften Abschnitt angrenzt und einen zweiten
Leitungstyp aufweist (a P-type layer 12 is formed in that surface portion of an N-
type substrate 11, which is located near a high power device main junction area /
Sp. 3, Zeilen 14 bis 16 i. V. m. Fig. 2E // As is shown in Fig. 2A, a P-type anode
layer 32 [...] are formed in the major surface of an N-type semiconductor sub-
strate 31 / Sp. 4, Zeilen 12 bis 14 i. V. m. Fig. 2A),
- einer RESURF-Schicht, die in einem Halbleitersubstrat so ausgebildet ist, dass
sie in Kontakt zu einer Bodenfläche des vertieften Abschnitts ist und in Kontakt
zu einem Teil der Bodenfläche der Elektrodenschicht ist und Verunreinigungen
des zweiten Leitungstyps in einer Konzentration aufweist, die niedriger ist als die
Konzentration der Elektrodenschicht (a P--type RESURF layer 13 of a lower im-
purity concentration than the P-type layer 12 is formed around it / Sp. 3, Zeilen 16
bis 18 i. V. m. Fig. 2B, die zeigt, dass die RESURF-Schicht in Kontakt zur Bo-
denfläche des vertieften Abschnitts 31A ist, und i. V. m. Fig. 2E, die zeigt dass
die RESURF-Schicht darüber hinaus auch in Kontakt zu einem Teil der Boden-
fläche ist),
- einer Isolationsschicht, die auf der Deckfläche des Halbleitersubstrats so ausge-
bildet ist, dass sie den vertieften Abschnitt ausfüllt (A semi-insulating polycrystal-
line silicon film 15 is formed in the recess 11A. The film generally has a higher
- 12 -
resistance than a semiconductor, i.e. has a specific resistance of, for example,
107 - 1013 Ωcm. This film is formed of silicon mixed with, for example, at least one
of oxygen, nitrogen and carbon. In the case of the semiconductor insulating poly-
crystalline silicon 15 formed in the first embodiment, silicon is mixed with oxygen.
The film 15 is covered with an insulating film 16 formed of, for example, SiO2/
Sp. 3, Zeilen 27 bis 37),
und
- einer Feldplattenelektrode, die auf der Isolationsschicht über dem vertieften Ab-
schnitt ausgebildet ist (An electrode 17 to be connected to the P-type layer 12 [...]
are formed in the respective openings. / Sp. 3, Zeilen 38 bis 40 // The aluminum
layer is selectively etched, thereby forming an anode electrode 39 connected to
the anode layer 32 / Sp. 5, Zeilen 12 und 13 i. V. m. Fig. 1 bzw. Fig. 2E, die beide
zeigen, dass diese Elektrode auf der Isolationsschicht über dem vertieften Ab-
schnitt ausgebildet ist, womit sie eine Feldplattenelektrode bildet, denn die an-
meldungsgemäße Feldplatte „11“ wird gemäß den Fig. 1 und 19 der Anmeldung
ebenfalls von der auf die Isolationsschicht „15“ reichenden Elektrode des Kon-
taktes zur Elektrodenschicht „8“ gebildet).

Das Verfahren zur Herstellung dieser Halbleitervorrichtung weicht allerdings von
dem im geltenden Anspruch 1 angegebenen ab. Denn bei dem Verfahren nach
der D1 werden zunächst die p-dotierte Elektrode, die p--dotierte RESURF-Schicht
und die n+-dotierten Kanalstopperbereiche in der Oberfläche des Halbleitersub-
strats erzeugt. Anschließend wird auf dem Substrat ein Oxid erzeugt, das lokal so
entfernt wird, dass ein Bereich über der RESURF-Schicht und einem Teil der
Anode freigelegt wird. In diesem Bereich wird die Substratoberfläche so geätzt,
dass eine bis in die Oberfläche der RESURF-Schicht reichende Vertiefung ent-
steht, die anschließend mit einer halbisolierenden Polysilizium-Schicht gefüllt wird.
Dann wird die gesamte Oberfläche mit einem Isolationsoxid bedeckt, in das Kon-
taktlöcher geätzt werden, so dass abschließend Aluminium-Kontakte zur p+-Anode
und zu den Kanalstopperbereichen erzeugt werden können, vgl. in der D1 Sp. 4,
Zeile 7 bis Sp. 5, Zeile 25.
- 13 -
Insofern weicht die Reihenfolge der Verfahrensschritte bei dem Verfahren nach
der D1 von der Reihenfolge der Schritte nach dem geltenden Anspruch 1 grund-
sätzlich ab, so dass die D1 dieses Verfahren weder vorwegnehmen noch nahele-
gen kann.

Auch das Verfahren nach der Druckschrift D6 weicht grundsätzlich von dem Ver-
fahren nach Anspruch 1 ab und sieht bspw. schon nicht das Erzeugen eines ver-
tieften Abschnitts, das Implantieren von Verunreinigungen in den Bereichen der
Bodenflächen dieses vertieften Abschnitts und das Auffüllen dieses Abschnitts mit
einer Isolationsschicht vor, vgl. vor allem die Abs. [0037] bis [0045]. Insofern kann
auch diese Schrift das Verfahren nach Anspruch 1 nicht nahelegen.

Wie sich aus den vorangehenden Darlegungen ergibt, kann auch eine Zusam-
menschau der Druckschriften D1, D5 und D6 das Verfahren nach dem geltenden
Anspruch 1 nicht nahelegen.

Die Druckschriften D2, D3 und D4 liegen weiter ab und wurden im Prüfungsverfah-
ren zur Stammakte nur im Hinblick auf Unteransprüche genannt.

5. Dem Anspruch 1 können sich die Unteransprüche 2 und 3 anschließen, in de-
nen Weiterbildungen des Verfahrens nach Anspruch 1 angegeben werden.

6. Da auch die übrigen Unterlagen den an sie zu stellenden Anforderungen
entsprechen, war dem Antrag auf Patenterteilung zu entsprechen.

- 14 -
R e c h t s m i t t e l b e l e h r u n g

Gegen diesen Beschluss steht der Anmelderin - vorbehaltlich des Vorliegens der
weiteren Rechtsmittelvoraussetzungen, insbesondere einer Beschwer - das
Rechtsmittel der Rechtsbeschwerde zu. Sie ist nur statthaft, wenn einer der
nachfolgenden Verfahrensmängel gerügt wird, nämlich

1. dass das beschließende Gericht nicht vorschriftsmäßig besetzt war,
2. dass bei dem Beschluss ein Richter mitgewirkt hat, der von der Ausübung
des Richteramtes kraft Gesetzes ausgeschlossen oder wegen Besorgnis der
Befangenheit mit Erfolg abgelehnt war,
3. dass einem Beteiligten das rechtliche Gehör versagt war,
4. dass ein Beteiligter im Verfahren nicht nach Vorschrift des Gesetzes vertre-
ten war, sofern er nicht der Führung des Verfahrens ausdrücklich oder still-
schweigend zugestimmt hat,
5. dass der Beschluss aufgrund einer mündlichen Verhandlung ergangen ist,
bei der die Vorschriften über die Öffentlichkeit des Verfahrens verletzt wor-
den sind, oder
6. dass der Beschluss nicht mit Gründen versehen ist.

Die Rechtsbeschwerde ist innerhalb eines Monats nach Zustellung des Be-
schlusses schriftlich durch einen beim Bundesgerichtshof zugelassenen Rechts-
anwalt als Bevollmächtigten beim Bundesgerichtshof, Herrenstr. 45 a, 76133
Karlsruhe, einzureichen oder durch einen beim Bundesgerichtshof zugelassenen
Rechtsanwalt als Bevollmächtigten in elektronischer Form bei der elektronischen
Poststelle des BGH. Informationen zum elektronischen Rechtsverkehr sind auf
den Internetseiten des BGH unter
www.bundesgerichtshof.de/DE/DasGericht/ElektrRechtsverkehr/elektr
Rechtsverkehr_node.html erhältlich. Das elektronische Dokument ist mit einer
prüfbaren qualifizierten elektronischen Signatur nach dem Signaturgesetz oder mit
einer prüfbaren fortgeschrittenen elektronischen Signatur zu versehen. Die Eig-
nungsvoraussetzungen für eine Prüfung und für die Formate des elektronischen
Dokuments werden auf der Internetseite des Bundesgerichtshofs

- 15 -
www.bundesgerichtshof.de/DE/DasGericht/ElektrRechtsverkehr/Bearbei-
tungsvoraussetzungen/bearbeitungsvoraussetzungen_node.html
bekannt gegeben.


Dr. Strößner Brandt Dr. Friedrich Dr. Himmelmann

prö


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