ECLI:DE:BPatG:2018:220318B23Wpat42.16.0


BUNDESPATENTGERICHT




23 W (pat) 42/16
_______________________
(Aktenzeichen)



B E S C H L U S S

In der Beschwerdesache

…

- 2 -
betreffend das Patent 102 26 908

hat der 23. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts am
22. März 2018 unter Mitwirkung des Vorsitzenden Richters Dr. Strößner, und der
Richter Dr. Friedrich, Dr. Zebisch und Dr. Himmelmann

beschlossen:

1. Der Beschluss der Patentabteilung 33 des Deutschen
Patent- und Markenamts vom 8. Juni 2016 wird aufgehoben;

2. das Patent Nr. 102 26 908 wird wie erteilt aufrechterhalten.


G r ü n d e

I.

Auf die am 17. Juni 2002 unter Inanspruchnahme der ausländischen Priorität mit
der Nummer JP 2001-216135 vom 17. Juli 2001 beim Deutschen Patent- und
Markenamt eingereichte Patentanmeldung 102 26 908.4 hat der 23. Senat des
Bundespatentgerichts zum Ende der mündlichen Verhandlung der Anmelderbe-
schwerde mit dem Aktenzeichen 23 W (pat) 17/10 am 26. November 2013 den
Zurückweisungsbeschluss der Prüfungsstelle für Klasse H01L des Deutschen
Patent- und Markenamts vom 23. September 2009 aufgehoben und das nachge-
suchte Patent 102 26 908 (Streitpatent) mit der Bezeichnung „Isolierschicht-Bipo-
lartransistor“ unter Zitierung des Stands der Technik gemäß den Druckschriften

D1 DE 41 12 905 A1
D2 JP 06-069509 A
D3 DE 197 31 495 A1
- 3 -
D4 DE 42 35 175 C2
D5 EP 0 485 059 A2
D6 DE 41 14 349 C2

erteilt.

Der Veröffentlichungstag der Patenterteilung mit der Streitpatentschrift
DE 102 26 908 B4 ist der 13. März 2014.

Gegen das Patent hat die Einsprechende mit Schriftsatz vom 12. Dezember 2014,
beim Deutschen Patent- und Markenamt am selben Tag eingegangen, Einspruch
erhoben und beantragt, das Streitpatent wegen fehlender Patentfähigkeit (Neuheit
bzw. erfinderische Tätigkeit, § 21 Abs. 1 Nr. 1 PatG i. V. m. §§ 1 bis 5 PatG) zu
widerrufen. Dazu hat sie auf die Dokumente

E1 DE 197 38 750 A1 mit
Anlage I Elektronenfluss-Simulation 1
Anlage II Elektronenfluss-Simulation 2
Anlage III VALVO POWERMOS-Transistoren, 1. Auflage, März 1988, Dr. Alfred
Hüthig Verlag GmbH, Heidelberg, ISBN 3-7785-1660-4, S. 12 bis 15.

verwiesen und im Einspruchsschriftsatz insbesondere ausgeführt, dass der Iso-
lierschicht-Bipolartransistor des erteilten Anspruchs 1 hinsichtlich des in Figur 5
der Druckschrift E1 offenbarten Transistors nicht neu sei und angesichts der durch
die Anlagen I bis III belegten Kenntnisse des Fachmanns zumindest nicht auf ei-
ner erfinderischen Tätigkeit bezüglich der Druckschrift E1 beruhe. Zudem könne
auch eine Aufnahme von Merkmalen aus den erteilten Unteransprüchen 2 bis 4
keine Patentfähigkeit begründen.

Die Patentinhaberin hat mit Schriftsatz vom 13. Mai 2015 den Ausführungen der
Einsprechenden widersprochen und ausgeführt, dass die Gegenstände der
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erteilten Ansprüche 1 bis 4 neu hinsichtlich der Druckschrift E1 seien und auch auf
einer erfinderischen Tätigkeit bezüglich einer Kombination der Druckschrift E1 mit
den Anlagen I bis III beruhten. Mit Eingabe vom 25. Mai 2016 hat die
Patentinhaberin zudem Hilfsanträge 1 bis 3 vorgelegt.

Nach Prüfung des als zulässig angesehenen Einspruchs hat die Patentabtei-
lung 33 des Deutschen Patent- und Markenamts das Streitpatent zum Ende der
Anhörung vom 8. Juni 2016, in der die Patentinhaberin das Patent in erteilter so-
wie hilfsweise in beschränkter Fassung nach Hilfsantrag 1 und weiter hilfsweise in
der Fassung des in der Anhörung überreichten Hilfsantrags 1a verteidigt hat, in
der Fassung des Hilfsantrags 1a beschränkt aufrechterhalten.

Die schriftliche Begründung des Beschlusses, in dem die Patentabteilung den Ge-
genstand des erteilten Anspruchs 1 und des Anspruchs 1 nach Hilfsantrag 1 als
dem Fachmann durch Druckschrift E1 nahegelegt angesehen hat, ist mit An-
schreiben vom 19. Juli 2016 der Patentinhaberin am 22. Juli 2016 und der Ein-
sprechenden am 25. Juli 2016 zugestellt worden.

Gegen diesen Beschluss richtet sich die am 19. August 2016 beim Deutschen
Patent- und Markenamt eingegangene Beschwerde der Patentinhaberin mit der
nachgereichten Beschwerdebegründung vom 28. März 2017, mit der sie auch vier
Sätze Patentansprüche als Hilfsanträge 1 bis 4 eingereicht hat.

Die Einsprechende hat keine Beschwerde gegen den Beschluss der Patentabtei-
lung 33 eingelegt und sich weder zur Beschwerde der Patentinhaberin geäußert
noch eine mündliche Verhandlung beantragt.

Die Einsprechende beantragt sinngemäß,

die Beschwerde zurückzuweisen.

- 5 -
Die Patentinhaberin beantragt mit ihrer Beschwerdebegründung vom
28. März 2017:

den Beschluss der Patentabteilung 33 des Deutschen Patent- und
Markenamts vom 8. Juni 2016 aufzuheben

und das Patent Nr. 102 26 908 wie erteilt aufrechtzuerhalten
(Hauptantrag),

hilfsweise das Patent auf Grundlage folgender Unterlagen be-
schränkt aufrechtzuerhalten:

1. Patentansprüche 1 bis 3 nach Hilfsantrag 1 vom
28. März 2017,
2. Patentansprüche 1 bis 3 nach Hilfsantrag 2 vom
28. März 2017,
3. Patentansprüche 1 bis 3 nach Hilfsantrag 3 vom
28. März 2017,
4. Patentansprüche 1 bis 3 nach Hilfsantrag 4 vom
28. März 2017,

jeweils mit Beschreibung und Figuren wie erteilt;

sowie eine mündliche Verhandlung anzuberaumen, wenn dem
Hauptantrag nicht stattgegeben werden kann.

- 6 -
Der erteilte Anspruch 1 nach Hauptantrag hat folgenden Wortlaut:

„Isolierschicht-Bipolartransistor, der folgendes aufweist:
− eine erste Halbleiterschicht (80) eines ersten Leitfähigkeitstyps mit einer ers-
ten Hauptoberfläche (102) und einer zweiten Hauptoberfläche (100) gegen-
über der ersten Hauptoberfläche (102);
− eine zweite Halbleiterschicht (12) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die auf der
ersten Hauptoberfläche (102) der ersten Halbleiterschicht (80) gebildet ist;
− eine erste Mehrzahl von ersten dotierten Bereichen (11) des ersten Leitfähig-
keitstyps, die selektiv in einer Hauptoberfläche (103) der zweiten Halbleiter-
schicht (12) gegenüber der ersten Halbleiterschicht (80) gebildet sind, ohne
mit der ersten Halbleiterschicht (80) verbunden zu sein;
− eine Kollektorelektrode (10), die auf der Hauptoberfläche (103) der zweiten
Halbleiterschicht (12) so gebildet ist, dass sie eine Oberfläche (105) eines je-
den der ersten dotierten Bereiche (11) überdeckt; und
− eine zweite Mehrzahl von Strukturen (200a-200d), wobei jede Struktur (200a
bis 200d) aufweist:
− einen zweiten dotierten Bereich (2, 20) des zweiten Leitfähigkeitstyps,
der selektiv in der zweiten Hauptoberfläche (100) der ersten Halbleiter-
schicht (80) gebildet ist, ohne mit der zweiten Halbleiterschicht (12) ver-
bunden zu sein,
− einen dritten dotierten Bereich (3a, 3b, 30a, 30b) des ersten
Leitfähigkeitstyps, der selektiv in einer Oberfläche (104a, 104b) des
zweiten dotierten Bereichs (2, 20) gebildet ist, ohne mit der ersten Halb-
leiterschicht (80) verbunden zu sein;
− genau einen Kanalbereich (CH1a bis CH1d), der in einem Abschnitt der
Oberfläche (104a, 104b) des zweiten dotierten Bereichs (2, 20) definiert
ist, der zwischen dem dritten dotierten Bereich (3a, 3b, 30a, 30b) und der
ersten Halbleiterschicht (80) liegt;
− eine Isolierschicht (40-42), die auf dem Kanalbereich (CH1a bis CH1d)
gebildet ist;
- 7 -
− eine Gateelektrode (50-52), die auf der Isolierschicht (40 bis 42) gebildet
ist, und
− eine Emitterelektrode (6), die mit den zweiten (2, 20) und dritten dotierten
Bereichen (3a, 3b, 30a, 30b) verbunden ist,
dadurch gekennzeichnet, dass die erste Mehrzahl von ersten dotierten Berei-
chen (11) des ersten Leitfähigkeitstyps identisch mit der zweiten Mehrzahl von
Strukturen (200a bis 200d) ist, und dass jeder aus der Mehrzahl der ersten do-
tierten Bereiche (11) nur unter dem jeweils, in Richtung senkrecht zur zweiten
Hauptoberfläche (100), darüber liegenden Kanalbereich (CH1a bis CH1d) gebildet
ist.“

Hinsichtlich der Ansprüche der Hilfsanträge 1 bis 4 sowie der weiteren Einzelhei-
ten wird auf die Streitpatentschrift und den Akteninhalt verwiesen.


II.
Die form- und fristgerecht erhobene Beschwerde der Patentinhaberin ist zulässig.
Sie erweist sich auch als begründet, da der Isolierschicht-Bipolartransistor des
erteilten Anspruchs 1 gemäß Hauptantrag gegenüber dem vorgelegten Stand der
Technik neu ist und auf einer erfinderischen Tätigkeit des zuständigen Fachmanns
beruht (§ 4 PatG), weshalb das Patent wie erteilt aufrechtzuerhalten war.

1. Die Zulässigkeit des Einspruchs ist von Amts wegen in jedem
Verfahrensstadium, auch im Beschwerdeverfahren, zu prüfen (vgl. Schulte, PatG,
10. Aufl., § 59 Rdn. 51 und 150 bis 152; BGH GRUR 1972, 592 – Sortiergerät), da
nur das Vorliegen eines zulässigen Einspruchs die weitere sachliche Überprüfung
eines erteilten Patents erlaubt.

Vorliegend ist der form- und fristgerecht erhobene Einspruch der Einsprechenden
zulässig, weil zu dem geltend gemachten Einspruchsgrund der mangelnden Pa-
tentfähigkeit aufgrund fehlender Neuheit bzw. erfinderischer Tätigkeit (§ 21 Abs. 1
- 8 -
Nr. 1 PatG i. V. m. §§ 3 und 4 PatG) substantiiert Stellung genommen wurde. So
hat die Einsprechende jeweils im Einzelnen angegeben, wo welche Merkmale des
Transistors des erteilten Anspruchs 1 in Druckschrift E1 offenbart seien, und wie
sich der Transistor nach Anspruch 1 aus Druckschrift E1 und dem durch die Anla-
gen I bis III belegten Fachwissen ihrer Meinung nach ergebe. Auch zu den Unter-
ansprüchen wurde substantiiert Stellung genommen und angegeben, wo in Druck-
schrift E1 die in diesen Ansprüchen beanspruchten Merkmale offenbart seien oder
wie sie sich ergäben. Insgesamt sind somit die Tatsachen, die den Einspruch
rechtfertigen, im Einzelnen aufgeführt (§ 59 Abs. 1 Satz 4 PatG). Die Patentabtei-
lung 33 des Deutschen Patent- und Markenamts und auch die Patentinhaberin
wurden demnach in die Lage versetzt, ohne eigene Nachforschungen festzustel-
len, ob die behaupteten Einspruchsgründe vorliegen (vgl. hierzu BGH BlPMZ
1988, 250, Leitsatz 2, 251, liSp, Abs. 1 - Epoxidation; Schulte, PatG, 10. Aufl.,
§ 59 Rdn. 83 bis 89).

2. Das Streitpatent betrifft einen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode, im
folgenden IGBT genannt (Isolated Gate Bipolar Transistor).

Ein IGBT ist ein Vierschicht-Halbleiterbauelement, das aus einer Kombination
eines vertikalen Leistungs-MOSFET und eines Bipolatransistors, typischerweise
eines n-Kanal-MOSFET und eines pnp-Bipolartransistors besteht und mittels eines
isolierten Gates gesteuert wird. Wie in der nachfolgend wiedergegebenen den
Stand der Technik erläuternden Fig. 7 des Streitpatents dargestellt,
- 9 -

umfasst der IGBT in der Regel eine hochdotierte p+-Halbleiterschicht (90) mit einer
auf der Rückseite aufgebrachten Elektrode (Kollektorelektrode 10) und einer auf
der gegenüberliegenden Vorderseite angeordneten hochdotierten n+-Pufferschicht
(8), auf der sich eine als n-Typ-Halbleitersubstrat dienende n-dotierte Halbleiter-
schicht (1) befindet, an deren Oberfläche (100) p-dotierte Wannenbereiche (2, 20)
eingebracht sind. In der Oberfläche dieser Wannenbereiche (2) sind wiederum
hochdotierte n+-Bereiche (3a, 3b, 30a, 30b) selektiv gebildet, die ebenso wie die p-
Wanne (2, 20) in Kontakt mit der auf der Vorderseite des IGBTs aufgebrachten
Elektrode (Emitterelektrode 6) sind. Durch Anlegen einer Spannung an die durch
die Gate-Isolierschicht (40) und die Zwischenschicht-Isolierschicht (70) von den
übrigen Komponenten isolierte Gateelektrode (50) bildet sich wie bei normalen
Feldeffektransistoren unterhalb des Gates in der p-Wanne (2, 20) ein leitender n-
Kanal aus. Jedoch unterscheidet sich der IGBT vom vertikalen Leistungs-
MOSFETs durch das Vorhandensein der zusätzlichen hochdotierten p+-Halbleiter-
schicht (90). Dabei bilden bspw. die p-Wanne (2), das n-Substrat (1) mit der n+-
Pufferschicht (8) sowie die p+-Halbleiterschicht (90) einen vertikalen pnp-
Transistor, der über einen MOS-Transistor durch die Kanalausbildung mittels des
Gates (50) eingeschaltet werden kann, weshalb die Elektrode 6 auch nicht als
Source-, sondern als Emitterelektrode und die Elektrode 10 nicht als Drain-,
sondern als Kollektorelektrode bezeichnet wird.

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Im sog. Vorwärtsbetrieb eines derartigen n-Kanal IGBTs wird an den Kollektor
eine bezüglich des Emitters positive Spannung angelegt und der pn-Übergang
zwischen den Schichten 90 und 8 ist durchgeschaltet. Liegt darüber hinaus eine
die Schwellenspannung übersteigende, bezüglich des Emitters positive Spannung
am Gate an, bildet sich ein n-Kanal unterhalb der Gateelektrode aus und der IGBT
schaltet vom Sperr- in den Durchlassbereich.

Gegenüber Leistungs-MOSFETs zeichnen sich solche IGBTs zwar durch ihre
hohe Spannungs- und Stromfestigkeit aus, jedoch weisen sie gemäß den
Ausführungen in der Beschreibungseinleitung der Anmeldung insbesondere bei
erhöhten Temperaturen einen starken Leckstrom im Sperrbetrieb auf. Zur
Behebung dieses Nachteils sind, wie in den Figuren 8 bis 11 der Anmeldung
gezeigt, auch IGBTs bekannt, bei denen die hochdotierte p+-Halbleiterschicht (90)
nicht durchgehend, sondern abschnittsweise vorhanden ist und die Zwischen-
räume mit hochdotierten n+-Bereichen (vgl. Fig. 8 und 10) oder mit niedrig
dotierten p--Bereichen versehen sind (vgl. Fig. 9 und 11). Diese Maßnahmen
verringern zwar den unerwünschten Leckstrom, jedoch können derart geänderte
IGBTs unter bestimmten Bedingungen ein instabiles Schaltverhalten aufweisen,
vgl. Abs. [0001] bis [0030] der Streitpatentschrift.

Vor diesem Hintergrund liegt der Anmeldung als technisches Problem die Aufgabe
zugrunde, einen IGBT bereitzustellen, in dem ein Leckstrom vermindert ist, eine
Elektronenstromansammlung im IGBT zuverlässig abgemildert ist, und der in
einem stabilen Betriebszustand läuft, vgl. Abs. [0031] der Streitpatentschrift.

Gelöst wird diese Aufgabe durch den Isolierschicht-Bipolartransistor des erteilten
Anspruchs 1. Wie anhand der nachfolgend wiedergegebenen Fig. 2 des Streitpa-
tents erläutert,
- 11 -

zeichnet sich der Isolierschicht-Bipolartransistor des erteilten Anspruchs 1 gegen-
über einem konventionellen IGBT durch die spezielle Ausgestaltung der Kollektor-
zone und insbesondere die Anordnung von ersten dotierten Bereichen (11) des
ersten Leitfähigkeitstyps aus. Dabei ist wesentlich, dass die erste Mehrzahl von
ersten dotierten Bereichen (11) des ersten Leitfähigkeitstyps identisch mit der
zweiten Mehrzahl von Strukturen (200a bis 200d) ist und dass jeder aus der Mehr-
zahl der ersten dotierten Bereiche (11) nur unter dem jeweils in Richtung senk-
recht zur zweiten Hauptoberfläche (100), darüber liegenden Kanalbereich (CH1a
bis CH1d) gebildet ist. In senkrechter Projektion des jeweiligen Kanalbereichs
(CH1a bis CH1d) auf den darunter angeordneten ersten dotierten Bereich (11)
darf der erste dotierte Bereich somit nicht seitlich über den Kanalbereich hinaus-
ragen. Dadurch wird der Leckstrom verringert und ein stabiler Betriebszustand
gewährleistet, vgl. Abs. [0058] und [0059] der Streitpatentschrift.

Zwar ist die laterale Ausdehnung der ersten dotierten Bereiche (11) in den Figuren
1, 2, 5 und 6 geringfügig größer dargestellt als die der senkrecht darüber jeweils
angeordneten Kanalbereiche (CH1a bis CH1d). Da jedoch im Streitpatent diese
Figuren explizit als schematische Schnittansichten bezeichnet sind und in der zu-
- 12 -
gehörigen Beschreibung, insbesondere in Abs. [0053], in Übereinstimmung mit der
Lehre des erteilten Anspruchs 1 hervorgehoben wird, dass jeder der n+-dotierten
Bereiche (11), der einem der Kanalbereiche CH1a bis CH1d entspricht, nur unter
dem jeweiligen Kanalbereichen (CH1a bis Ch1d) gebildet und ausschließlich auf
einer Linie positioniert ist, die von dem entsprechenden Kanalbereich (CH1a bis
CH1d) in der Richtung senkrecht zur Hauptoberfläche (100) der n-Typ-Halbleiter-
schicht (80) gezogen ist, versteht der Fachmann die Figuren im Sinne des An-
spruchs 1.

Entgegen den Ausführungen der Einsprechenden schließt der erteilte Anspruch 1
eine Auslegung, wonach der erste dotierte Bereich (11) auch dem jeweiligen
zweiten dotierten Bereich (2, 20) zugeordnet werden kann, aus, denn, da die
zweiten dotierten Bereiche (2, 20) jeweils zwei unterschiedliche Kanalbereiche
(Ch1a und Ch1b einerseits und Ch1c und Ch1d andererseits) aufweisen, stünde
dies sowohl im Widerspruch zum erteilten Anspruch 1, der im viertletzten Spiegel-
strich eindeutig vorgibt, dass jede der zweiten Mehrzahl von Strukturen (200a-
200d) genau einen Kanalbereich (CH1a bis CH1d) aufweist, als auch im Wider-
spruch zu den Figuren und der Beschreibung des Streitpatents.

3. Der Isolierschicht-Bipolartransistor gemäß dem erteilten Anspruch 1 ist hin-
sichtlich des nachgewiesenen Stands der Technik neu (§ 3 PatG) und beruht die-
sem gegenüber auch auf einer erfinderischen Tätigkeit des zuständigen Fach-
manns (§ 4 PatG), der im vorliegenden Fall als berufserfahrener und mit dem
Entwurf von Halbleiter-Leistungsbauelementen betrauter Physiker oder Ingenieur
der Elektrotechnik mit Hochschulabschluss zu definieren ist.

Insbesondere gibt der vorgelegte Stand der Technik gemäß den Druckschriften D1
bis D6 und E1 mit den Anlagen I bis III dem Fachmann keine Anregung, jeden aus
der Mehrzahl der ersten dotierten Bereiche nur unter dem jeweils in Richtung
senkrecht zur zweiten Hauptoberfläche darüber liegenden Kanalbereich zu bilden.

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Die im Einspruchsverfahren neu vorgelegte Druckschrift E1 geht von der Proble-
matik aus, dass MOS-Feldeffekttransistoren (MOSFET) zwar schnelle Schaltfä-
higkeiten aber gleichzeitig eine unerwünscht hohe Zunahme des Ein-Widerstands
mit zunehmender Durchbruchspannung aufweisen, und dass Isolierschicht-Bipo-
lartransistoren (IGBT) zwar langsamere Schaltfähigkeiten aber dafür geringere
Ein-Widerstände als MOSFETs haben, vgl. Spalte 1 bis Spalte 2, Zeile 9. Ausge-
hend davon soll eine Leistungsschaltvorrichtung bereitgestellt werden, die die
Schaltgeschwindigkeit eines Leistungs-MOSFET mit dem niedrigen Ein-Wider-
stand eines IGBT kombiniert, vgl. Spalte 2, Zeilen 10 bis 13.

Entsprechende Vorrichtungen sind in den Figuren 3 bis 5 dargestellt. Diese zeich-
nen sich dadurch aus, dass die Rückseite des N--Halbleiterkristalls (302) N+-Insel-
bereiche (308) aufweist, die durch einen durchgehenden P+-Bereich (310) ge-
trennt sind, was in Fig. 2 der Druckschrift E1 in Draufsicht vereinfacht dargestellt
ist, wobei die Bezugszeichen 202 bzw. 204 den obigen Bezugszeichen 308 bzw.
310 entsprechen. Insbesondere gibt nach den Ausführungen in Druckschrift E1
das Verhältnis der eine beliebige Form aufweisenden Inselbereichsfläche zur ge-
samten Rückseitenfläche vor, ob die Vorrichtung mehr wie ein MOSFET oder ein
IGBT arbeitet. Sind keine N+-Inselbereiche (308) vorhanden, ist die Vorrichtung
ein Standard-IGBT, und bedecken die Inselbereiche (308) die gesamte Rücksei-
tenfläche, ist die Vorrichtung ein Standard-MOSFET, vgl. Spalte 3, Zeilen 22 bis
61. Auch die Ausrichtung der Inselbereiche (308) beeinflusst nach den weiteren
Ausführungen in der Druckschrift E1 das Betriebsverhalten, wobei der Fachmann
Größe, Form, Anzahl und Ausrichtung der N+-Inselbereiche (308) den besonderen
Anwendungserfordernissen anpassen kann, vgl. Spalte 4, Zeilen 47 bis 54. So
führt eine Ausrichtung der N+-Inselbereiche (308) mit den P-Quellen (304A), wie in
Fig. 3 gezeigt, zu einer eher IGBT-ähnlichen Funktionsweise der Vorrichtung, wo-
hingegen eine Ausrichtung der N+-Inselbereiche (308) mit den Gate-Elektroden
(314), wie in Fig. 4 gezeigt, eine eher IGBT-ähnliche Funktionsweise der Vorrich-
tung zur Folge hat, vgl. Spalte 4, Zeilen 55 bis 67. Jedoch ist nach den Ausführun-
gen in Spalte 5, Zeilen 3 bis 13 eine solche Ausrichtung der Inselbereiche mit den
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Source- bzw. Gate-Bereichen nur dann sinnvoll, wenn spezielle Betriebscharakte-
ristiken der Vorrichtung erwünscht sind, denn die Vorrichtungen sind leichter und
billiger ohne ein solches Ausrichtungserfordernis herzustellen.

Da bei den in den Figuren 3 und 4 gezeigten Vorrichtungen die Schichtenfolge aus
P-Quelle (304A), N--Halbleiterkristall (302) und N+-Inselbereichen (308) eine
Halbleiterdiode bildet und diese nachteilig bezüglich der Schaltungsgeschwindig-
keit der Vorrichtungen sein kann, wird in der nachfolgend wiedergegebenen Fig. 5

eine Abwandlung der Vorrichtung nach Fig. 3 beschrieben, bei der die N+-Inselbe-
reiche (308) weiterhin mit den P+-Sourcegebieten (310) ausgerichtet sind, aber
zusätzlich eine P--Schicht (502) zwischen dem N--Halbleiterkristall (302) und den
N+-Inselbereichen (308) bzw. dem P+-Bereich (310) angeordnet ist. Dadurch wird
erreicht, dass die unerwünschte Halbleiterdiode vom Betrieb ausgesperrt und eine
schnellere Schaltgeschwindigkeit der Vorrichtung gewährleistet ist, vgl. Spalte 5,
Zeilen 32 bis 66. Dabei lässt die gleiche Bezeichnung (306A) für die N+-Bereiche
im Schnitt gemäß den Fig. 3 bis 5 darauf schließen, dass die N+-Bereiche (306A,
306B, 306C) ringförmig ausgebildet sind.

Druckschrift E1 offenbart somit in Fig. 5 mit den Worten des erteilten Anspruchs 1
einen Isolierschicht-Bipolartransistor (Vorrichtung 500), der folgendes aufweist:

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− eine erste Halbleiterschicht (N--Halbleiterkristall 302) eines ersten Leitfähig-
keitstyps mit einer ersten Hauptoberfläche und einer zweiten Hauptoberflä-
che gegenüber der ersten Hauptoberfläche;
− eine zweite Halbleiterschicht (P--Schicht 502 mit P+-Bereich 310) eines zwei-
ten Leitfähigkeitstyps, die auf der ersten Hauptoberfläche der ersten Halb-
leiterschicht (302) gebildet ist;
− eine erste Mehrzahl von ersten dotierten Bereichen (N+-Inselbereiche 308)
des ersten Leitfähigkeitstyps, die selektiv in einer Hauptoberfläche der zwei-
ten Halbleiterschicht (502, 310) gegenüber der ersten Halbleiterschicht (302)
gebildet sind, ohne mit der ersten Halbleiterschicht (302) verbunden zu sein;
− eine Kollektorelektrode (Kollektor/Drain-Elektrode 312, vgl. Fig. 3), die auf
der Hauptoberfläche der zweiten Halbleiterschicht (502, 310) so gebildet ist,
dass sie eine Oberfläche eines jeden der ersten dotierten Bereiche (308)
überdeckt; und
− eine zweite Mehrzahl von Strukturen, wobei jede Struktur aufweist:
− einen zweiten dotierten Bereich (P-Quellen 304A, 304B, 304C) des zwei-
ten Leitfähigkeitstyps, der selektiv in der zweiten Hauptoberfläche der
ersten Halbleiterschicht (302) gebildet ist, ohne mit der zweiten Halb-
leiterschicht (502, 310) verbunden zu sein,
− einen dritten dotierten Bereich (N+-Bereiche 306A, 306B, 306C) des ers-
ten Leitfähigkeitstyps, der selektiv in einer Oberfläche des zweiten do-
tierten Bereichs (304A, 304B, 304C) gebildet ist, ohne mit der ersten
Halbleiterschicht (302) verbunden zu sein;
− genau einen Kanalbereich (Bereiche in den P-Quellen 304A, B, C unter-
halb der Gateelektrode 314 seitlich der N+-Bereiche 306A, B, C), der in
einem Abschnitt der Oberfläche des zweiten dotierten Bereichs (304A,
304B, 304C) definiert ist, der zwischen dem dritten dotierten Bereich
(306A, 306B, 306C) und der ersten Halbleiterschicht (302) liegt;
− eine Isolierschicht (Oxidschicht 318), die auf dem Kanalbereich gebildet
ist;

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− eine Gateelektrode (Gate-Elektrode 314), die auf der Isolierschicht (318)
gebildet ist, und
− eine Emitterelektrode (Emitter/Source-Elektrode 316), die mit den zwei-
ten (304A, 304B, 304C) und dritten dotierten Bereichen (306A, 306B,
306C) verbunden ist.

Damit ist aus Druckschrift E1 ein Isolierschicht-Bipolartransistor mit den Merkma-
len des Oberbegriffs des erteilten Anspruchs 1 bekannt.

Zudem ist im Fall der ringförmigen Ausbildung der N+-Bereiche (306A, 306B,
306C) auch der Teil des kennzeichnenden Merkmals des erteilten Anspruchs 1,
wonach die erste Mehrzahl von ersten dotierten Bereichen des ersten Leitfähig-
keitstyps identisch mit der zweiten Mehrzahl von Strukturen ist, aus Druckschrift
E1 ersichtlich, wobei nach der Lehre des erteilten Anspruchs 1 jede der zweiten
Mehrzahl von Strukturen (200a-200d) nur genau einen Kanalbereich (CH1a bis
CH1d) aufweisen darf. So zeigt der in Fig. 5 dargestellte Schnitt durch die Halb-
leitervorrichtung zwar zwei Kanalbereiche in der P-Quelle (304A), doch lässt das
zweimal verwendete Bezugszeichen „306A“ den Fachmann schließen, dass es
sich bei dem dritten dotierten Bereich (306A) um einen ringförmigen Bereich han-
delt, der im Schnittbild zweimal geschnitten wird. In der Folge entsteht auch ein
ringförmiger Kanalbereich, der ebenfalls zweimal geschnitten wird. Damit wird der
Fachmann davon ausgehen, dass die Mehrzahl von ersten dotierten Bereichen
(308) identisch ist mit der zweiten Mehrzahl von Strukturen.

Es ist jedoch keiner und damit erst recht nicht jeder aus der Mehrzahl der ersten
dotierten Bereiche (308) nur unter dem jeweils, in Richtung senkrecht zur zweiten
Hauptoberfläche, darüber liegenden Kanalbereich gebildet. Denn wie insbeson-
dere den Figuren 2 und 5 zu entnehmen ist, sind die ersten dotierten Bereiche
(308) nicht ringförmig, sondern als voller Kreis auch in der Ringöffnung, wo sich
kein Kanalbereich befindet, ausgebildet.

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Der Isolierschicht-Bipolartransistor des erteilten Anspruchs 1 ist somit neu hin-
sichtlich der Druckschrift E1.

Ausgehend von Druckschrift E1 wird dem Fachmann das verbleibende kennzeich-
nende Merkmal auch nicht nahegelegt.

Denn wie bereits erläutert, gibt Druckschrift E1 dem Fachmann hinsichtlich der N+-
Inselbereiche (308) lediglich die allgemeine Lehre, dass sich durch deren Einbrin-
gen in die Rückseite der Halbleitervorrichtung die positiven Eigenschaften von
IGBT und MOSFET miteinander kombinieren lassen, und dass in erster Linie das
Verhältnis der eine beliebige Form aufweisenden Inselbereichsfläche zur gesam-
ten Rückseitenfläche vorgibt, ob die Vorrichtung mehr wie ein MOSFET oder mehr
wie ein IGBT arbeitet, wobei sich die Funktionsweise der Vorrichtung noch weiter
in Richtung IGBT oder MOSFET bringen lässt, wenn die N+-Inselbereiche (308)
mit den P-Quellen (304A) (vgl. Fig. 3, IGBT-ähnlich) oder mit den Gate-Elektroden
(314) (vgl. Fig. 4, MOSFET-ähnlich) ausgerichtet sind. Ein Herstellungsverfahren,
bei dem die Inselbereiche mit den P-Quellen oder den Gate-Elektroden ausge-
richtet werden, ist aber nach den Ausführungen in Druckschrift E1 schwerer und
teurer als eines ohne Ausrichtung und deshalb nur dann bevorzugt, wenn spezi-
elle Betriebscharakteristiken erwünscht sind, wie bspw. eine noch stärker MOS-
ähnliche oder IGBT-ähnliche Funktionsweise der Vorrichtung, vgl. insbesondere
Spalte 3, Zeilen 37 bis 61 und Spalte 4, Zeile 47 bis Spalte 5, Zeile 13.

Daher kann der Fachmann die allgemeine Angabe in Spalte 4, Zeilen 47 bis 52,
wonach Größe, Form, Anzahl und Ausrichtung der N+-Inselbereiche (308) je nach
Anwendung variiert werden können, auch nicht als speziellen Hinweis verstehen,
die Inselbereiche (308) entsprechend dem Kennzeichen des Anspruchs 1 abzu-
ändern, sie insbesondere ringförmig zu gestalten und ausschließlich senkrecht
unter den Kanalbereichen anzuordnen. Denn wie in Druckschrift E1 hervorgeho-
ben wird, ist bereits eine Ausrichtung der Inselbereiche mit den Quellen- bzw.
Gate-Bereichen aufwändig und teuer und nur bei speziellen Anforderungen ange-
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raten. Eine Ausrichtung der Inselbereiche entsprechend den erheblich kleineren
Kanalbereichen ist jedoch noch deutlich schwieriger, insbesondere wenn als zu-
sätzliche Beschränkung jeder aus der Mehrzahl der ersten dotierten Bereiche,
d. h. jeder Inselbereich (308) von Fig. 5 der Druckschrift E1, nur unter dem jeweils,
in Richtung senkrecht zur zweiten Hauptoberfläche, darüber liegenden Kanalbe-
reich gebildet sein darf. Der Fachmann findet in Druckschrift keinerlei konkrete
Anregung, warum er trotz der in Druckschrift E1 angesprochenen Schwierigkeiten
bei der Ausrichtung der Inselbereiche mit den Quellen- bzw. Gate-Bereichen eine
noch kompliziertere Ausrichtung der Inselbereiche entsprechend dem Kennzei-
chen des erteilten Anspruchs 1 wählen sollte. So hebt auch die Einsprechende auf
den Seiten 8 bis 11 ihres Einspruchsschriftsatzes unter Bezugnahme auf den
Lehrbuchauszug nach Anlage III und die Simulationsrechnungen nach den Anla-
gen I und II hervor, dass eine Ausrichtung der N+-Inselbereiche mit den Kanalbe-
reichen entsprechend dem Kennzeichen des Anspruchs 1 für den Verlauf der
Elektronenströme nicht von Bedeutung sei und dass eine Ausrichtung der N+-In-
selbereiche mit den P-Quellen gemäß Fig. 5 der E1 (Anlage II) zum gleichen
Elektronenstromverlauf führe, wie eine Ausrichtung gemäß dem Kennzeichen des
erteilten Anspruchs 1 (Anlage I), d. h. ausschlaggebend sind der relative Flächen-
anteil der Inselbereiche und deren Orientierung unterhalb der Quellen- oder Ga-
tebereiche, wie es in Druckschrift E1 erläutert ist.

Der Fachmann hat folglich keinen Anlass, die in Druckschrift E1 beschriebene
Ausrichtung der N+-Inselbereiche mit den P-Quellen durch eine Ausrichtung ent-
sprechend dem Kennzeichen des erteilten Anspruchs 1 zu ersetzen, da dies zu
einem teureren und schwierigeren Herstellungsverfahren würde und eine solche
Abänderung des Verfahrens dem Fachmann weder aufgrund seiner Fachkennt-
nisse noch durch die Druckschrift E1 nahegelegt wird.

Diese Ausführungen gelten insbesondere auch für den Fall, dass der Fachmann
trotz der gleichen Bezeichnung (306A) für die N+-Bereiche im Schnitt gemäß den
Fig. 3 bis 5 nicht darauf schließt, dass die N+-Bereiche (306A, 306B, 306C) ring-
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förmig ausgebildet sind, sondern die N+-Bereiche (306A, 306B, 306C) jeweils als
zwei separate Bereiche auffasst. Denn bei einem solchen Verständnis der Figu-
ren 3 bis 5 ist für den Fachmann aus den vorstehend genannten Gründen neben
dem zweiten kennzeichnenden Merkmal auch das erste kennzeichnende Merkmal
des erteilten Anspruchs 1, wonach die erste Mehrzahl von ersten dotierten Berei-
chen des ersten Leitfähigkeitstyps identisch mit der zweiten Mehrzahl von Struktu-
ren ist, weder entnehmbar noch nahegelegt.

Im Erteilungsbeschluss zur Anmelderbeschwerde (23 W (pat) 17/10) wurde bereits
dargelegt, dass der Fachmann den Druckschriften D1, D4 und D6 ebenfalls ledig-
lich einen Isolierschicht-Bipolartransistor mit den Merkmalen des Oberbegriffs des
erteilten Anspruchs 1 entnimmt, aber keinen Hinweis bezüglich der kennzeichnen-
den Merkmale, und dass die Druckschriften D2, D3 und D5 hinsichtlich der Lehre
des erteilten Anspruchs 1 weiter abliegen.

Dabei spricht gegen ein Naheliegen des verbleibenden Kennzeichens des erteilten
Anspruchs 1 zusätzlich die Tatsache, dass auch die den Oberbegriff des erteilten
Anspruchs 1 ebenfalls offenbarenden Druckschriften D1, D4 und D6 dem Fach-
mann keinen diesbezüglichen Hinweis geben können.

4. Weitere Einspruchsgründe waren nicht Gegenstand des Einspruchsverfah-
rens.

5. Bei dieser Sachlage war der Beschluss der Patentabteilung aufzuheben und
das Patent wie erteilt aufrechtzuerhalten. Die Durchführung einer mündlichen Ver-
handlung vor dem Senat war nicht notwendig, da der Beschwerde der Patentinha-
berin in vollem Umfang entsprochen wurde und die Einsprechende keinen dahin-
gehenden Antrag gestellt hat (analog zu BGH, GRUR 2008, 731 - alphaCAM).

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R e c h t s m i t t e l b e l e h r u n g

Gegen diesen Beschluss steht den am Verfahren Beteiligten – vorbehaltlich des
Vorliegens der weiteren Rechtsmittelvoraussetzungen, insbesondere einer Be-
schwer – das Rechtsmittel der Rechtsbeschwerde zu. Da der Senat die Rechtsbe-
schwerde nicht zugelassen hat, ist sie nur statthaft, wenn einer der nachfolgenden
Verfahrensmängel gerügt wird, nämlich

1. dass das beschließende Gericht nicht vorschriftsmäßig besetzt
war,
2. dass bei dem Beschluss ein Richter mitgewirkt hat, der von der
Ausübung des Richteramtes kraft Gesetzes ausgeschlossen oder
wegen Besorgnis der Befangenheit mit Erfolg abgelehnt war,
3. dass einem Beteiligten das rechtliche Gehör versagt war,
4. dass ein Beteiligter im Verfahren nicht nach Vorschrift des Geset-
zes vertreten war, sofern er nicht der Führung des Verfahrens
ausdrücklich oder stillschweigend zugestimmt hat,
5. dass der Beschluss aufgrund einer mündlichen Verhandlung
ergangen ist, bei der die Vorschriften über die Öffentlichkeit des
Verfahrens verletzt worden sind, oder
6. dass der Beschluss nicht mit Gründen versehen ist.

Die Rechtsbeschwerde ist innerhalb eines Monats nach Zustellung des Be-
schlusses
schriftlich durch einen beim Bundesgerichtshof zugelassenen Rechtsanwalt als
Bevollmächtigten beim Bundesgerichtshof, Herrenstr. 45 a, 76133 Karlsruhe, ein-
zureichen oder
durch einen beim Bundesgerichtshof zugelassenen Rechtsanwalt als Bevollmäch-
tigten in elektronischer Form. Zur Entgegennahme elektronischer Dokumente ist
die elektronische Poststelle des Bundesgerichtshofs bestimmt. Die elektronische
Poststelle des Bundesgerichtshofs ist über die auf der Internetseite
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www.bundesgerichtshof.de/erv.html bezeichneten Kommunikationswege er-
reichbar. Die Einreichung erfolgt durch die Übertragung des elektronischen Doku-
ments in die elektronische Poststelle. Elektronische Dokumente sind mit einer
qualifizierten elektronischen Signatur oder mit einer fortgeschrittenen elektroni-
schen Signatur zu versehen.


Dr. Strößner Dr. Friedrich Dr. Zebisch Dr. Himmelmann

prö


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