BPatG 154
05.11

BUNDESPATENTGERICHT



23 W (pat) 24/15
_______________
(Aktenzeichen)



Verkündet am
11. Mai 2017
…




B E S C H L U S S

In der Beschwerdesache


…



betreffend die Patentanmeldung 10 2011 054 891.2

hat der 23. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts in
der mündlichen Verhandlung vom 11. Mai 2017 unter Mitwirkung des Vorsitzen-
den Richters Dr. Strößner und der Richter Brandt, Dr. Friedrich und
Dr. Himmelmann

- 2 -
beschlossen:

1. Der Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H01L des Deut-
schen Patent- und Markenamts vom 3. August 2015 wird
aufgehoben.
2. Es wird ein Patent erteilt mit der Bezeichnung „Verfahren
zum Durchtrennen eines Halbleiterbauelementverbunds“,
dem Anmeldetag 28. Oktober 2011 auf der Grundlage fol-
gender Unterlagen:
- Patentansprüche 1 bis 9,
- Beschreibungsseiten 1 bis 14, jeweils überreicht in der
mündlichen Verhandlung am 11. Mai 2017;
- 5 Blatt Zeichnungen mit Figuren 1 bis 5, eingegangen
im Deutschen Patent- und Markenamt am Anmelde-
tag.


G r ü n d e

I.

Die vorliegende Patentanmeldung wurde am 28. Oktober 2011 beim Deutschen
Patent- und Markenamt eingereicht. Sie trägt die Bezeichnung „Verfahren zum
Durchtrennen eines Halbleiterbauelementverbunds“.

Die Prüfungsstelle für Klasse H01L hat im Lauf des Prüfungsverfahrens auf die
Druckschriften

D1 US 2009/0 065 800 A1
D2 US 2011/0 240 616 A1
D3 US 2009/0 191 693 A1
- 3 -
D4 DE 602 05 360 T2 und
D5 US 2005/0 236 378 A1

verwiesen und dargelegt, das Verfahren nach Anspruch 1 beruhe im Hinblick auf
den nachgewiesenen Stand der Technik nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit
des Fachmanns. Nachdem sie ihre Auffassung zur mangelnden Patentfähigkeit
des Verfahrens nach Anspruch 1 in der Anhörung vom 3. August 2015 nochmals
erläutert hat, hat sie die Anmeldung am Ende der Anhörung zurückgewiesen und
dies mit schriftlichem Beschluss vom 3. August 2015 begründet.

Gegen den am 10. August 2015 zugestellten Beschluss hat die Anmelderin mit
Schriftsatz vom 4. September 2015, am selben Tag beim Deutschen Patent- und
Markenamt eingegangen, Beschwerde eingelegt und diese begründet.

Mit Schriftsatz vom 5. April 2017 hat der Senat der Anmelderin zum Stand der
Technik noch die Druckschrift

D6 DE 10 2009 006 177 A1

übermittelt.

Die Anmelderin beantragt in der mündlichen Verhandlung,

1. den Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H01L des Deut-
schen Patent- und Markenamts vom 3. August 2015 aufzuhe-
ben,

2. ein Patent zu erteilen mit der Bezeichnung „Verfahren zum
Durchtrennen eines Halbleiterbauelementverbunds“, dem
Anmeldetag 28. Oktober 2011 auf der Grundlage folgender
Unterlagen:
- 4 -
- Patentansprüche 1 bis 9,
- Beschreibungsseiten 1 bis 14,
jeweils überreicht in der mündlichen Verhandlung am
11. Mai 2017;
- 5 Blatt Zeichnungen mit Figuren 1 bis 5, eingegangen
im Deutschen Patent- und Markenamt am Anmelde-
tag.

Der geltende Anspruch 1 lautet:

„1. Verfahren zum Durchtrennen eines Halbleiterbauelementver-
bunds (1), der einen Träger (5) mit einer Hauptfläche (50) und
eine auf der Hauptfläche (50) angeordnete Halbleiterschichten-
folge (2), die in Bauelementbereiche (23) unterteilt ist, aufweist,
wobei
- der Träger (5) ein Halbleitermaterial oder eine Keramik enthält,
- die Halbleiterschichtenfolge (2) mittels einer Verbindungsschicht
(34) an dem Träger (5) befestigt ist, und
- der Halbleiterbauelementverbund (1) auf der der Halbleiter-
schichtenfolge (2) abgewandten Seite des Trägers (5) eine diese
Seite vollständig bedeckende Metallschicht (7) aufweist,
wobei zum Durchtrennen des derart aufgebauten Halbleiterbauele-
mentverbunds (1)
- mittels eines Lasers zwischen benachbarten Bauelementberei-
chen (23) ein Trenngraben (4) ausgebildet wird, wobei die Ein-
strahlung des Lasers von der dem Träger abgewandten Seite der
Halbleiterschichtenfolge (2) in Richtung des Trägers (5) erfolgt und
der Trenngraben (4) in einer senkrecht zur Hauptfläche (50) ver-
laufenden vertikalen Richtung in den Träger hinein reicht,
- bei einem folgenden weiteren Laserschnitt entlang des Trenngra-
bens (4) ausschließlich Trägermaterial abgetragen wird, und
- 5 -
- bei einem Durchtrennungsschnitt mittels Laser der Halbleiterbau-
elementverbund (1) vollständig durchtrennt wird, wobei die Metall-
schicht (7) auf der der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten
Seite des Trägers (5) erst bei diesem Durchtrennungsschnitt be-
arbeitet wird.“

Hinsichtlich der Unteransprüche 2 bis 9 sowie hinsichtlich der weiteren Einzelhei-
ten wird auf den Akteninhalt verwiesen.


II.

Die Beschwerde ist frist- und formgerecht erhoben und hat insofern Erfolg, als der
Beschluss der Prüfungsstelle aufgehoben und das Patent mit den geltenden Un-
terlagen erteilt wird. Die geltenden Ansprüche sind zulässig und der Gegenstand
des geltenden Anspruchs 1 erweist sich nach dem Ergebnis der mündlichen Ver-
handlung als patentfähig.

1. Die Anmeldung betrifft ein Verfahren zum Durchtrennen eines
Halbleiterbauelementverbunds.

Zur Vereinzelung von Halbleiterchips aus einem Halbleiterwafer oder Waferver-
bund kann ein Lasertrennverfahren Anwendung finden. Es hat sich gezeigt, dass
während des Verfahrens entstehende Schlacke die seitlichen Trennflächen zwi-
schen den einzelnen Chips bedecken kann. Der Begriff Schlacke bezeichnet in
diesem Zusammenhang allgemein das sich während eines Laserschnitts bildende
Material, das insbesondere geschmolzenes Material oder anderweitig abgetrenn-
tes Material der zu trennenden Schicht umfasst. Bedeckt dieses Material die
Trennflächen zwischen den Chips, so kann dies dazu führen, dass sich beim Lö-
ten der Halbleiterchips Lötmaterial über die Trennfläche verteilt und eine Schädi-
gung des Halbleiterchips verursacht.
- 6 -
Der Anmeldung liegt daher als technisches Problem die Aufgabe zugrunde, ein
einfaches und zuverlässiges Verfahren zum Durchtrennen eines Halbleiterbau-
elementverbunds anzugeben, bei dem die vereinzelten Halbleiterchips zuverlässig
lötbar sind, vgl. in den geltenden Beschreibungsunterlagen S. 1, 1. bis 4. Textab-
satz.

Gemäß dem geltenden Anspruch 1 wird diese Aufgabe durch ein Verfahren zum
Durchtrennen eines Halbleiterbauelementverbunds gelöst, der einen Träger mit
einer Hauptfläche und eine auf der Hauptfläche angeordnete Halbleiterschichten-
folge aufweist, die in Bauelementbereiche unterteilt ist, wobei der Träger ein
Halbleitermaterial oder eine Keramik enthält, die Halbleiterschichtenfolge mittels
einer Verbindungsschicht an dem Träger befestigt ist und der Halbleiterbauele-
mentverbund auf der der Halbleiterschichtenfolge abgewandten Seite des Trägers
eine diese Seite vollständig bedeckende Metallschicht aufweist. Zum Durchtren-
nen des derart aufgebauten Halbleiterbauelementverbunds wird mittels eines La-
sers zwischen benachbarten Bauelementbereichen ein Trenngraben ausgebildet,
wobei die Einstrahlung des Lasers von der dem Träger abgewandten Seite der
Halbleiterschichtenfolge in Richtung des Trägers erfolgt und der Trenngraben in
einer senkrecht zur Hauptfläche verlaufenden vertikalen Richtung in den Träger
hinein reicht. Bei einem folgenden weiteren Laserschnitt entlang des Trenngra-
bens wird ausschließlich Trägermaterial abgetragen. Bei einem Durchtrennungs-
schnitt wird der Halbleiterbauelementverbund schließlich mittels Laser vollständig
durchtrennt, wobei die Metallschicht auf der der Halbleiterschichtenfolge abge-
wandten Seite des Trägers erst bei diesem Durchtrennungsschnitt bearbeitet wird.

2. Die geltenden Ansprüche sind zulässig.

Der geltende Anspruch 1 geht auf die ursprünglichen Ansprüche 1, 2, 4, 5, 8, 9
und 14 i. V. m. der ursprünglichen Beschreibungsseite 13, 5. Abs. zurück. Die An-
gabe, dass die Einstrahlung des Lasers von der dem Träger abgewandten Seite
der Halbleiterschichtenfolge erfolgt, ist auf S. 2, 4. Abs. der ursprünglichen Unter-
- 7 -
lagen offenbart. Das Merkmal, dass die Metallschicht die der Halbleiterschichten-
folge abgewandte Seite des Trägers vollständig bedeckt, ist in den ursprünglichen
Unterlagen auf S. 10, Zeilen 2 und 3 offenbart. Dass die Metallschicht erst mit dem
Durchtrennungsschnitt bearbeitet wird, geht auf S. 3, 2. Abs. der ursprünglichen
Unterlagen zurück.

Die geltenden Unteransprüche 2 bis 9 gehen auf die ursprünglichen Unteransprü-
che 3, 4, 6, 7, 10, 11, 12 und 13 zurück.

3. Das Verfahren nach dem geltenden Anspruch 1 ist patentfähig, denn es ist
gegenüber dem nachgewiesenen Stand der Technik neu (§ 3 PatG) und beruht
diesem gegenüber auch auf einer erfinderischen Tätigkeit des Fachmanns (§ 4
PatG).

Als Fachmann ist ein in der Halbleiterindustrie tätiger berufserfahrener Ingenieur
der Elektrotechnik oder Physiker mit Fachhochschul- oder Hochschulabschluss
anzusehen, der im Rahmen seiner Arbeit auch mit der Weiterentwicklung von
Trennverfahren für Halbleiterchips betraut ist.

3.1 Die vom Senat neu in das Verfahren eingeführte Druckschrift D6
(DE 10 2009 006 177 A1) offenbart ein Verfahren zum Durchtrennen eines Halb-
leiterbauelementverbunds mittels Laser (Bei dem Herstellungsverfahren können
eine Vielzahl von Halbleiterchips nebeneinander hergestellt werden, wobei die
Halbleiterchips durch Vereinzeln des Verbunds 9 aus dem Verbund hervorgehen.
Das Vereinzeln kann beispielsweise mechanisch, etwa mittels Spaltens, Brechens
oder Wasserschneidens, chemisch, etwa mittels nasschemischen oder trocken-
chemischen Ätzens, und/oder mittels Laserstrahlung erfolgen. / Abs. [0156] bis
[0157]), bei dem der Halbleiterbauelementverbund wie der im Anspruch 1 ge-
nannte Verbund einen Träger mit einer Hauptfläche und eine auf der Hauptfläche
angeordnete und in Bauelementbereiche in Form von Chips unterteilte Halbleiter-
schichtenfolge aufweist (Der Halbleiterchip 1 weist einen Halbleiterkörper 2 mit
- 8 -
einer Halbleiterschichtenfolge und einen Träger 5 auf. / Abs. [0076] und obiger
Abs. [0156]), wobei
- der Träger ein Halbleitermaterial oder eine Keramik enthält (Der Träger kann
beispielsweise ein Halbleitermaterial, etwa Germanium oder Silizium, enthalten
oder aus einem solchen Material bestehen. Zur Erhöhung der elektrischen Leit-
fähigkeit kann der Träger geeignet dotiert sein. Ein elektrisch isolierender Träger
kann beispielsweise eine Keramik, etwa Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid oder Si-
liziumnitrid enthalten oder aus einem solchen Material bestehen. / Abs. [0028]
und [0029]),
- der Halbleiterbauelementverbund eine auf einer der Halbleiterschichtenfolge ab-
gewandten Seite des Trägers angeordnete Metallschicht aufweist, die den Träger
vollständig bedeckt (In dem gezeigten Ausführungsbeispiel ist der Halbleiterchip
1 von der dem Halbleiterköper 2 abgewandten Seite des Trägers 5 her über den
ersten Kontakt 41 extern elektrisch kontaktierbar. Der erste Kontakt bedeckt eine
dem Halbleiterkörper 2 abgewandte zweite Hauptfläche des Trägers bevorzugt
vollständig oder zumindest im Wesentlichen vollständig. / Abs. [0087]) und
- die Halbleiterschichtenfolge mittels einer Verbindungsschicht an dem Träger be-
festigt ist (Der Halbleiterkörper 2 mit dem Emissionsbereich 23 und dem Schutz-
diodenbereich 24 ist mittels einer Verbindungsschicht 6 stoffschlüssig mit einer
dem Halbleiterkörper zugewandten ersten Hauptfläche 51 des Trägers 5 verbun-
den. Die Verbindungsschicht kann beispielsweise eine Klebeschicht oder eine
Lotschicht sein [Abs. 0082]).

Die Druckschrift D6 offenbart somit ein Verfahren zum Durchtrennen eines Halb-
leiterbauelementverbunds mit dem im geltenden Anspruch 1 angegebenen Auf-
bau, bei dem die Trennung mittels Laser erfolgt. Sie lässt jedoch offen, wie das
Verfahren zum Trennen dieses Verbunds mittels Laser im Einzelnen ausgebildet
sein soll. Insofern ist das Verfahren nach Anspruch 1 gegenüber dem Stand der
Technik gemäß der Druckschrift D6 neu und beruht diesem gegenüber auch auf
einer erfinderischen Tätigkeit des Fachmanns.

- 9 -
3.2 Das Verfahren nach Anspruch 1 ergibt sich für den Fachmann auch nicht in
naheliegender Weise bei einer Zusammenschau der Druckschrift D6 mit den übri-
gen im Verfahren befindlichen Druckschriften D1 bis D5. Denn diese können dem
Fachmann die im Anspruch 1 angegebene Verfahrensweise zum Trennen des aus
der Druckschrift D6 bekannten Halbleiterbauelementverbunds nicht nahelegen.

Die weitere Druckschrift D2 offenbart ein Verfahren zum Durchtrennen von Halb-
leiterbauelementanordnungen mittels Laser, bei dem durch ein mehrstufiges, ins-
besondere dreistufiges Laserschnittverfahren durch jeweilige Wahl der Laserpa-
rameter für die einzelnen Stufen gewährleistet wird, dass die für Laserschnittver-
fahren bei Halbleiterbauelementanordnungen typischen Probleme des Auftretens
von Ablagerungen („re-deposit of debris“) des verdampften Materials und der
Schädigung des Halbleitermaterials verhindert werden, wobei trotzdem beim
Trennen ein hoher Durchsatz erreicht wird. Das Verfahren nach der D2 zeichnet
sich dadurch aus, dass bei dem dreistufigen Laserschnittverfahren beim ersten
Schnitt ein Trenngraben erzeugt wird, der die Halbleiterbauelementanordnung in
einer senkrecht zur Hauptfläche verlaufenden vertikalen Richtung nur teilweise
durchtrennt. Bei einem zweiten Schritt wird dieser Trenngraben jedoch nicht ver-
tieft, sondern verbreitert, damit die verdampfende Materialwolke eine geringere
Dichte und ein geringeres Volumen aufweist und somit den Laserstrahl nicht blo-
ckiert, so dass dieser ungehindert bis auf den Boden des Grabens vordringen und
der Laser die Halbleiterbauelementanordnung bei dem folgenden dritten Schnitt
vollständig durchtrennen kann. Die aufeinanderfolgenden Laserschnitte werden
dabei jeweils so ausgeführt, dass eine Sättigung im Abtrag für das jeweilige Mate-
rial erreicht wird, so dass ein hoher Durchsatz erreicht wird, vgl. in der D2 vor al-
lem die Abs. [0010] bis [0029].

Dabei befasst sich die Druckschrift D2 jedoch nicht mit dem Trennen eines Ver-
bunds mit einem Aufbau aus Halbleiterschichten, Träger und rückseitiger Metall-
schicht, wie es beim Verfahren nach Anspruch 1 der Fall ist, sondern nur allge-
mein mit dem Durchtrennen eines Wafers oder Substrats mit elektronischen Bau-
- 10 -
elementen, vgl. Abs. [0024]. Schon aus diesem Grund kann diese Druckschrift
keine Anregung zu den im Anspruch 1 genannten Verfahrensmaßnahmen geben,
die auf den im Anspruch 1 genannten speziellen Aufbau des Halbleiterbauele-
mentverbunds in dem Sinn abgestimmt sind, dass bei den einzelnen Schnitten nur
bestimmte Ebenen des angegebenen Aufbaus erreicht bzw. jeweils nur bestimmte
Materialien dieses Aufbaus abgetragen werden.

In ähnlicher Weise gilt dies für die Druckschrift D1. Diese offenbart einen Halblei-
terbauelementverbund, der einen Träger mit einer Hauptfläche und eine auf der
Hauptfläche angeordnete Halbleiterschichtenfolge aufweist, wobei der Träger ein
Halbleitermaterial oder eine Keramik enthält, die Halbleiterschichtenfolge mittels
einer Verbindungsschicht an dem Träger befestigt ist und der Halbleiterbauele-
mentverbund eine auf einer der Halbleiterschichtenfolge abgewandten Seite des
Trägers angeordnete Metallschicht aufweist, die diesen allerdings nur lokal be-
deckt , vgl. in der D1 vor allem die Abs. [0160], [0199] i. V. m. den Abs. [0080],
[0171] und [0172] sowie die Fig. 1, 2 und 4, in denen die Bezugszeichen „11“ bzw.
„12“ die nur lokal vorhandene Metallschicht auf der Rückseite des Trägers be-
zeichnen.

Dieser Verbund wird durch ein Verfahren getrennt, bei dem zunächst u. a. mit Hilfe
eines Lasers ein Trenngraben in dem Halbleiterbauelementverbund ausgebildet
wird, der den Halbleiterbauelementverbund in einer senkrecht zur Hauptfläche
verlaufenden vertikalen Richtung nur teilweise durchtrennt, und dann der Halblei-
terbauelementverbund entlang des Trenngrabens vollständig durchtrennt wird,
wobei diese Durchtrennung allerdings in einem Bereich des Halbleiterbauelement-
verbunds erfolgt, in dem keine metallische Schicht auf der Rückseite des Trägers
vorhanden ist, vgl. vor allem die Abs. [0220], [0222] i. V. m. Fig. 4a-4c sowie die
Abs. [0259] und [0260] i. V. m. Fig. 4i, aus der ersichtlich ist, dass an der Trenn-
stelle zur vollständigen Trennung keine Metallschicht vorhanden ist.

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Die Druckschrift D1 offenbart somit weder, dass der Schnitt zur vollständigen
Durchtrennung mittels eines Lasers erfolgt, noch gibt sie an, dass zwischen dem
anfänglichen Laserschnitt und dem Durchtrennungsschnitt ein Trennungsschnitt
erfolgt, in dem ausschließlich Material des Trägers entfernt wird. Zudem offenbart
diese Schrift auch nicht, dass die Metallschicht auf der der Halbleiterschichten-
folge abgewandten Seite des Trägers erst bei dem Schnitt der vollständigen
Durchtrennung erfolgt, da die metallische Schicht abseits der Trennlinie liegt und
somit bei dem Verfahren nach der Druckschrift D1 von Hause aus gar nicht
durchtrennt wird.

Angesichts dieser Unterschiede kann auch diese Schrift die entsprechenden
Maßnahmen aus dem oben genannten Anspruch 1 nicht anregen.

Die Druckschrift D3 offenbart ein Verfahren zum Durchtrennen von Siliziumwafern
mit Hilfe von Lasern, bei dem die Wafer auf ihrer Oberfläche eine isolierende
Schicht aus sogenanntem „low-k-Material“ und funktionale Halbleiterschichten
aufweisen. Das Trennverfahren ist auf diese Schichtanordnung ausgerichtet und
sieht vor, durch entsprechende Steuerung von Lasern unterschiedliche Trenngrä-
ben in der Oberflächenbeschichtung des Wafers und im Substratmaterial zu er-
zeugen, vgl. insbesondere die Abs. [0067] bis [0082] i. V. m. Fig. 4 bis 11. Diese
Druckschrift kann schon insofern keinen Hinweis zu der Verfahrensweise nach
Anspruch 1 geben, als sie sich mit einem völlig anderen Aufbau als dem im An-
spruch 1 genannten Halbleiterbauelementverbund beschäftigt und somit keine
Anregungen zu einem auf diesen Aufbau abgestimmten Verfahren geben kann.

Die Druckschrift D4 offenbart ein Verfahren zum Schneiden von Halbleitersub-
straten mit verschiedenen Beschichtungslagen, bei dem zunächst durch Fokussie-
ren eines ersten Lasterstrahls einer ersten Frequenz in der Beschichtungslage
Anreißlinien ausgebildet werden und dann ein zweiter Laserstrahl einer anderen
Frequenz über einer Oberseite des Substrats fokussiert und das Substrat durch
Scannen des zweiten Laserstrahls entlang der zuvor gebildeten Anreißlinien ge-
- 12 -
schnitten wird, vgl. insbesondere die Abs. [0016] bis [0020] i. V. m. den Ansprü-
chen 1 und 6. Auch diese Druckschrift beschäftigt sich somit mit einem anderen
Gegenstand als dem im Anspruch 1 genannten Halbleiterbauelementverbund und
kann somit keinen Hinweis auf Maßnahmen zum Durchtrennen geben, die auf den
Aufbau des Halbleiterverbunds gemäß Anspruch 1 abgestimmt sind.

Die Druckschrift D5 beschäftigt sich mit einem Verfahren zum Durchtrennen eines
Halbleiterwafers mit mehreren Schichten unterschiedlicher Materialien auf seiner
Oberfläche mit Hilfe eines Lasers, bei dem für die einzelnen Materialschichten je-
weils unterschiedliche Laserparameter eingestellt werden, vgl. vor allem die
Abs. [0003] und [0004] sowie [0069] bis [0077]. Dabei kann der Laser auch so
eingestellt werden, dass durch den Laserabtrag entstandene Ablagerungen wieder
beseitigt werden können, wofür beim Laserschneiden in größerer Substrattiefe die
Laserleistung erhöht wird, vgl. insbes. den Abs. [0079]. Jedoch gibt auch diese
Schrift schon mangels der Offenbarung eines entsprechenden Aufbau der zu tren-
nenden Anordnung keine Anregung zum Durchtrennen eines Halbleiterbauele-
mentverbunds mit dem im Anspruch 1 angegebenen Aufbau in der Weise, dass
bei einer Folge von Laserschnitten in der im Anspruch 1 angegebenen Weise ge-
zielt zunächst ein Trenngraben bis in den Träger erzeugt, dann lediglich Träger-
material entfernt und erst bei der Durchtrennung eine Metallschicht abgetragen
wird.

3.3 Das Verfahren nach Anspruch 1 ist somit neu und beruht auf einer erfinderi-
schen Tätigkeit des Fachmanns. Es ist damit patentfähig.

3.4 Dem Anspruch 1 können sich die Unteransprüche 2 bis 9 anschließen, in
denen Weiterbildungen des Verfahrens nach Anspruch 1 angegeben werden.

4. Da auch die übrigen Unterlagen den an sie zu stellenden Anforderungen
entsprechen, war dem Antrag auf Patenterteilung zu entsprechen.

- 13 -
R e c h t s m i t t e l b e l e h r u n g

Gegen diesen Beschluss steht der Beschwerdeführerin - vorbehaltlich des Vorlie-
gens der weiteren Rechtsmittelvoraussetzungen, insbesondere einer Beschwer -
das Rechtsmittel der Rechtsbeschwerde zu. Da der Senat die Rechtsbeschwerde
nicht zugelassen hat, ist sie nur statthaft, wenn einer der nachfolgenden Verfah-
rensmängel gerügt wird, nämlich

1. dass das beschließende Gericht nicht vorschriftsmäßig besetzt war,
2. dass bei dem Beschluss ein Richter mitgewirkt hat, der von der Ausübung
des Richteramtes kraft Gesetzes ausgeschlossen oder wegen Besorgnis
der Befangenheit mit Erfolg abgelehnt war,
3. dass einem Beteiligten das rechtliche Gehör versagt war,
4. dass ein Beteiligter im Verfahren nicht nach Vorschrift des Gesetzes vertre-
ten war, sofern er nicht der Führung des Verfahrens ausdrücklich oder still-
schweigend zugestimmt hat,
5. dass der Beschluss aufgrund einer mündlichen Verhandlung ergangen ist,
bei der die Vorschriften über die Öffentlichkeit des Verfahrens verletzt wor-
den sind, oder
6. dass der Beschluss nicht mit Gründen versehen ist.

Die Rechtsbeschwerde ist innerhalb eines Monats nach Zustellung des Beschlus-
ses schriftlich durch einen beim Bundesgerichtshof zugelassenen Rechtsanwalt
als Bevollmächtigten beim Bundesgerichtshof, Herrenstr. 45 a, 76133 Karlsruhe,
einzureichen oder durch einen beim Bundesgerichtshof zugelassenen Rechtsan-
walt als Bevollmächtigten in elektronischer Form bei der elektronischen Poststelle
des BGH, www.bundesgerichtshof.de/erv.html. Das elektronische Dokument ist
mit einer prüfbaren qualifizierten elektronischen Signatur nach dem Signaturge-
setz oder mit einer prüfbaren fortgeschrittenen elektronischen Signatur zu verse-
hen. Die Eignungsvoraussetzungen für eine Prüfung und für die Formate des
- 14 -
elektronischen Dokuments werden auf der Internetseite des Bundesgerichtshofs
www.bundesgerichtshof.de/erv.html bekannt gegeben.


Dr. Strößner Brandt Dr. Friedrich Dr. Himmelmann

prö


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