BPatG 154
05.11

BUNDESPATENTGERICHT



19 W (pat) 23/14
_______________
(Aktenzeichen)



Verkündet am
30. Januar 2017
…




B E S C H L U S S

In der Beschwerdesache

…







betreffend die Patentanmeldung 10 2007 029 657.8


hat der 19. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf
die mündliche Verhandlung vom 30. Januar 2017 unter Mitwirkung des
Vorsitzenden Richters Dipl.-Ing. Kleinschmidt, der Richterin Kirschneck sowie der
Richter Dipl.-Ing. J. Müller und Dipl.-Phys. Dipl.-Wirtsch.-Phys. Arnoldi


- 2 -
beschlossen:

1. Auf die Beschwerde der Anmelderin wird der Beschluss der
Prüfungsstelle für Klasse H 02 M des Deutschen Patent- und
Markenamts vom 9. April 2014 aufgehoben und das Patent
mit der Nummer 10 2007 029 657 erteilt.

Bezeichnung: Wechselrichtermodul für Stromrichter

Anmeldetag: 27. Juni 2007

Der Patenterteilung liegen folgende Unterlagen zugrunde:

Patentansprüche 1 bis 2 gemäß Hilfsantrag 4, überreicht in
der mündlichen Verhandlung am 30. Januar 2017,

Beschreibung, Seiten 1 bis 12, überreicht in der mündlichen
Verhandlung am 30. Januar 2017,

9 Blatt Zeichnungen,
Blatt 1/9 bis 4/9, Figuren 1 bis 8, vom Anmeldetag
27. Juni 2007,
Blatt 5/9 und 6/9, Figuren 9 bis 12, überreicht in der mündli-
chen Verhandlung am 30. Januar 2017,
Blatt 7/9 bis 9/9, Figuren 13 bis 17, vom Anmeldetag
27. Juni 2007.

2. Im Übrigen wird die Beschwerde zurückgewiesen.


G r ü n d e

I.

Das Deutsche Patent- und Markenamt – Prüfungsstelle für Klasse H 02 M – hat
die am 27. Juni 2007 eingereichte Anmeldung durch am Ende der Anhörung vom
- 3 -
9. April 2014 verkündeten Beschluss zurückgewiesen. In der schriftlichen
Begründung ist sinngemäß ausgeführt, die jeweiligen Gegenstände der
Patentansprüche 1 nach dem Haupt- und Hilfsantrag beruhten nicht auf einer
erfinderischen Tätigkeit (§ 1 Abs. 1 PatG i. V. m. § 4 PatG).

Gegen diesen Beschluss richtet sich die Beschwerde der Anmelderin vom
12. Juni 2014. Sie hat in der mündlichen Verhandlung neue Unterlagen ein-
gereicht und stellt den Antrag,

den Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H 02 M des Deutschen
Patent- und Markenamts vom 9. April 2014 aufzuheben und das
nachgesuchte Patent aufgrund folgender Unterlagen zu erteilen:

Patentansprüche 1 bis 7 gemäß Hauptantrag vom 23. Januar 2017,
Beschreibung, Seiten 1 bis 12, vom 18. November 2008,
9 Blatt Zeichnungen, Figuren 1 bis 17 vom Anmeldetag
27. Juni 2007,

hilfsweise,

Patentansprüche 1 bis 7 gemäß Hilfsantrag 1 vom 23. Januar 2017,

Patentansprüche 1 bis 5 gemäß Hilfsantrag 2 vom 23. Januar 2017,

Patentanspruch 1 gemäß Hilfsantrag 3, überreicht in der münd-
lichen Verhandlung am 30. Januar 2017,

Patentansprüche 1 bis 2 gemäß Hilfsantrag 4, überreicht in der
mündlichen Verhandlung am 30. Januar 2017,

Beschreibung zu den Hilfsanträgen 1 bis 3 wie Hauptantrag,
zu Hilfsantrag 4: Beschreibung, Seiten 1 bis 12, überreicht in der
mündlichen Verhandlung am 30. Januar 2017,

Zeichnungen zu den Hilfsanträgen 1 bis 3 wie Hauptantrag,
- 4 -
Zeichnungen zu dem Hilfsantrag 4: Figuren 1 bis 8, 13 bis 17 vom
27. Juni 2007, Figuren 9 bis 12 überreicht in der mündlichen Ver-
handlung am 30. Januar 2017.

Der geltende Patentanspruch 1 nach Hauptantrag vom 23. Januar 2017 lautet
unter Hinzufügung einer Gliederung:

M1 Wechselrichtermodul (25) für einen Stromrichter, das eine
oder mehrere in einem Gehäuse untergebrachte Phasen ei-
ner Brückenschaltung aufweist,
M2 wobei jede Phase von einer auf einer isolierenden Platte (2)
angeordneten Halbbrückenschaltung gebildet wird, die einen
unteren und einen oberen Zweig mit jeweils einem Schalt-
element (5, 6) und einer anti-parallel dazu geschalteten
Diode (A1, k1, A2, k2) aufweist,
M3 wobei das Wechselrichtermodul (25) einen plattenförmigen
Sockel (1) aus einem elektrisch leitendem [sic] Material zur
Kühlung außerhalb des Gehäuses besitzt, und
M4 wobei das Schaltelement (5) des oberen Zweigs auf der
Seite des niedrigen Potentials (E1) des oberen Zweigs über
einen Verbindungspunkt (C2E1) mit der Seite des hohen
Potentials (C2) des Schaltelements (6) des unteren Zweigs
verbunden ist,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Halbbrückenschaltung derart ausgelegt ist, dass
M5 eine erste parasitäre Kapazität (35), die zwischen dem
Sockel (1) und dem Verbindungspunkt (C2E1) gebildet wird,
M6 kleiner ist, als
M7 eine zweite parasitäre Kapazität (36), die zwischen dem
Sockel (1) und der Seite des hohen Potentials (C1) des
oberen Zweigs gebildet wird.

Der nach Hilfsantrag 1 geltende Patentanspruch 1 vom 23. Januar 2017 lautet
unter Hinzufügung einer Gliederung:

- 5 -
M1 Wechselrichtermodul (25) für einen Stromrichter, das eine
oder mehrere in einem Gehäuse untergebrachte Phasen
einer Brückenschaltung aufweist,
M2 wobei jede Phase von einer auf einer isolierenden Platte (2)
angeordneten Halbbrückenschaltung gebildet wird, die einen
unteren und einen oberen Zweig mit jeweils einem Schalt-
element (5, 6) und einer anti-parallel dazu geschalteten
Diode (A1, k1, A2, k2) aufweist,
M3 wobei das Wechselrichtermodul (25) einen plattenförmigen
Sockel (1) aus einem elektrisch leitendem [sic] Material zur
Kühlung außerhalb des Gehäuses besitzt, und
M41 wobei eine Emitterklemme des Schaltelements (5) des obe-
ren Zweigs über einen Verbindungspunkt (C2E1) mit einer
Kollektorklemme des Schaltelements (6) des unteren Zweigs
verbunden ist,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Halbbrückenschaltung derart ausgelegt ist, dass
M51 eine parallel zu dem Schaltelement (6) des unteren Zweigs
wirkende erste parasitäre Kapazität (35), die zwischen dem
Sockel (1) und dem zwischen der Emitterklemme des Schalt-
elements (5) des oberen Zweigs und der Kollektorklemme
des Schaltelements (6) des unteren Zweigs verbundenen
Verbindungspunkts (C2E1) gebildet wird,
M6 kleiner ist, als
M71 eine parallel zu dem Schaltelement (5) des oberen Zweigs
wirkende zweite parasitäre Kapazität (36), die zwischen dem
Sockel (1) und der Seite des hohen Potentials (C1) des obe-
ren Zweigs gebildet wird.

Der nach Hilfsantrag 2 geltende Patentanspruch 1 vom 23. Januar 2017 lautet
unter Hinzufügung einer Gliederung:

M1 Wechselrichtermodul (25) für einen Stromrichter, das eine
oder mehrere in einem Gehäuse untergebrachte Phasen ei-
ner Brückenschaltung aufweist,
- 6 -
M2 wobei jede Phase von einer auf einer isolierenden Platte (2)
angeordneten Halbbrückenschaltung gebildet wird, die einen
unteren und einen oberen Zweig mit jeweils einem Schalt-
element (5, 6) und einer anti-parallel dazu geschalteten
Diode (A1, k1, A2, k2) aufweist,
M3 das Wechselrichtermodul (25) einen plattenförmigen Sockel
(1) aus einem elektrisch leitendem [sic] Material zur Kühlung
außerhalb des Gehäuses besitzt,
M82 das Schaltelement (5, 6) Klemmen auf der Seite des niedri-
gen Potentials und auf der Seite des hohen Potentials auf-
weist,
M52 eine erste parasitäre Kapazität (35), die durch eine erste Lei-
terfläche (4), die mit einer Klemme auf der Seite des niedri-
gen Potentials des oberen Zweigs und mit einer Klemme auf
der Seite des hohen Potentials des unteren Zweigs elektrisch
verbunden ist, und den Sockel (1) gebildet wird, und
M72 eine zweite parasitäre Kapazität (36), die durch eine zweite
Leiterfläche (3), die mit einer Klemme auf der Seite des ho-
hen Potentials des oberen Zweigs elektrisch verbunden ist,
und den Sockel (1) gebildet wird,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Halbbrückenschaltung derart ausgelegt ist, dass
M92 die erste parasitäre Kapazität (35) durch die zweite parasi-
täre Kapazität (36) geladen wird, indem die erste Leiterfläche
(4) kleiner als die zweite Leiterfläche (3) bemessen ist.

Der nach Hilfsantrag 3 geltende Patentanspruch 1 vom 30. Januar 2017 lautet
unter Hinzufügung einer Gliederung:

M1 Wechselrichtermodul (25) für einen Stromrichter, das eine
oder mehrere in einem Gehäuse untergebrachte Phasen ei-
ner Brückenschaltung aufweist,
M23 wobei jede Phase von einer auf einer isolierenden Keramik-
platte (2) angeordneten Halbbrückenschaltung gebildet wird,
die einen unteren und einen oberen Zweig mit jeweils einem
- 7 -
Schaltelement (5, 6) und einer anti-parallel dazu geschalte-
ten Diode (A1, k1, A2, k2) aufweist,
M3 wobei das Wechselrichtermodul (25) einen plattenförmigen
Sockel (1) aus einem elektrisch leitendem [sic] Material zur
Kühlung außerhalb des Gehäuses besitzt,
M83 wobei das Schaltelement (5) des oberen Zweigs einen ersten
Kollektor (C1) auf der Seite des höheren Potentials des obe-
ren Zweigs und einen ersten Emitter (E1) auf der Seite des
niedrigen Potentials des oberen Zweigs aufweist, und
wobei das Schaltelement (6) des unteren Zweigs einen zwei-
ten Kollektor (C2) auf der Seite des höheren Potentials des
unteren Zweigs und einen zweiten Emitter (E2) auf der Seite
des niedrigen Potentials des unteren Zweigs aufweist, und
M53 wobei eine zwischen einem Verbindungspunkt (C2E1) des
ersten Emitters (E1) und des zweiten Kollektors (C2) und
dem Sockel (1) wirkende erste parasitäre Kapazität (35), die
durch eine erste Leiterfläche (4), die mit dem ersten Emitter
(E1) auf der Seite des niedrigen Potentials des oberen
Zweigs und dem zweiten Kollektor (C2) auf der Seite des
hohen Potentials des unteren Zweigs elektrisch verbunden
ist, und den Sockel (1) gebildet wird, und
M73 eine zwischen dem ersten Kollektor (C1) und dem Sockel (1)
wirkende zweite parasitäre Kapazität (36), die durch eine
zweite Leiterfläche (3), die mit einer Klemme auf der Seite
des hohen Potentials des oberen Zweigs elektrisch verbun-
den ist, und den Sockel (1) gebildet wird,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Halbbrückenschaltung derart ausgelegt ist, dass
M93 die zweite Leiterfläche auf der Seite des hohen Potentials
des oberen Zweigs größer ist, als die erste Leiterfläche des
Verbindungspunktes (C2E1) des ersten Emitters (E1) auf der
Seite des oberen Zweigs und des zweiten Kollektors (C2) auf
der Seite des unteren Zweigs, derart, dass die zweite para-
sitäre Kapazität (36) auf der Seite des hohen Potentials des
oberen Zweigs größer ist als die erste parasitäre Kapazität
- 8 -
(35) zwischen dem Verbindungspunkt (C2E1) und des ersten
Emitters (E1) auf der Seite des oberen Zweigs, und die erste
parasitäre Kapazität (35) durch die zweite parasitäre Kapa-
zität (36) geladen wird.

Der nach Hilfsantrag 4 geltende Patentanspruch 1 vom 30. Januar 2017 lautet
unter Hinzufügung einer Gliederung:

M1 Wechselrichtermodul (25) für einen Stromrichter, das eine
oder mehrere in einem Gehäuse untergebrachte Phasen ei-
ner Brückenschaltung aufweist,
M23 wobei jede Phase von einer auf einer isolierenden Keramik-
platte (2) angeordneten Halbbrückenschaltung gebildet wird,
die einen unteren und einen oberen Zweig mit jeweils einem
Schaltelement (5, 6) und einer anti-parallel dazu geschalte-
ten Diode (A1, k1, A2, k2) aufweist,
M3 das Wechselrichtermodul (25) einen plattenförmigen Sockel
(1) aus einem elektrisch leitendem [sic] Material zur Kühlung
außerhalb des Gehäuses besitzt,
M82 das Schaltelement (5, 6) Klemmen auf der Seite des niedri-
gen Potentials und auf der Seite des hohen Potentials auf-
weist,
M52 eine erste parasitäre Kapazität (35), die durch eine erste Lei-
terfläche (4), die mit einer Klemme auf der Seite des niedri-
gen Potentials des oberen Zweigs und mit einer Klemme auf
der Seite des hohen Potentials des unteren Zweigs elektrisch
verbunden ist, und den Sockel (1) gebildet wird, und
M72 eine zweite parasitäre Kapazität (36), die durch eine zweite
Leiterfläche (3), die mit einer Klemme auf der Seite des ho-
hen Potentials des oberen Zweigs elektrisch verbunden ist,
und den Sockel (1) gebildet wird,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Halbbrückenschaltung derart ausgelegt ist, dass
M94 die erste parasitäre Kapazität (35) durch die zweite parasi-
täre Kapazität (36) geladen wird, indem die erste Leiterfläche
- 9 -
(4), auf der das Schaltelement (6) des unteren Zweigs befes-
tigt ist, kleiner als die zweite Leiterfläche (3), auf der das
Schaltelement (5) des oberen Zweigs befestigt ist, bemessen
ist.

Der nach Hilfsantrag 4 geltende nebengeordnete Patentanspruch 2 vom
30. Januar 2017 lautet unter Hinzufügung einer Gliederung:

M1 Wechselrichtermodul (25) für einen Stromrichter, das eine
oder mehrere in einem Gehäuse untergebrachte Phasen ei-
ner Brückenschaltung aufweist,
M23 wobei jede Phase von einer auf einer isolierenden Keramik-
platte (2) angeordneten Halbbrückenschaltung gebildet wird,
die einen unteren und einen oberen Zweig mit jeweils einem
Schaltelement (5, 6) und einer anti-parallel dazu geschalte-
ten Diode (A1, k1, A2, k2) aufweist,
M3 das Wechselrichtermodul (25) einen plattenförmigen Sockel
(1) aus einem elektrisch leitendem [sic] Material zur Kühlung
außerhalb des Gehäuses besitzt,
M82 das Schaltelement (5, 6) Klemmen auf der Seite des niedri-
gen Potentials und auf der Seite des hohen Potentials auf-
weist,
M52 eine erste parasitäre Kapazität (35), die durch eine erste Lei-
terfläche (10), die mit einer Klemme auf der Seite des niedri-
gen Potentials des oberen Zweigs und mit einer Klemme auf
der Seite des hohen Potentials des unteren Zweigs elektrisch
verbunden ist, und den Sockel (1) gebildet wird, und
M72 eine zweite parasitäre Kapazität (36), die durch eine zweite
Leiterfläche (8), die mit einer Klemme auf der Seite des ho-
hen Potentials des oberen Zweigs elektrisch verbunden ist,
und den Sockel (1) gebildet wird,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Halbbrückenschaltung derart ausgelegt ist, dass
M95 die erste parasitäre Kapazität (35) durch die zweite parasi-
täre Kapazität (36) geladen wird, indem die erste Leiterfläche
- 10 -
(10) kleiner als die zweite Leiterfläche (8), auf der das
Schaltelement (5) des oberen Zweigs befestigt ist, bemessen
ist, und
M105 das Schaltelement (6) des unteren Zweigs auf einer dritten
Leiterfläche (9), die mit einer Klemme auf der Seite des nied-
rigen Potentials des unteren Zweigs elektrisch verbunden ist,
befestigt ist.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Wechselrichtermodul für eine
Stromrichtereinrichtung zu schaffen, welches in der Lage ist, den Gleichtaktstrom
gegenüber dem eines herkömmlichen Wechselrichtermoduls zu verringern, um
Leitungs- und Strahlungsstörungen zu verringern (vgl. nach Hilfsantrag 4 geltende
Beschreibung, Seite 3, Zeilen 22-24).

Wegen weiterer Einzelheiten wird auf die Akte verwiesen.


II.

Die statthafte und auch sonst zulässige Beschwerde hat insoweit Erfolg, als sie
zur Aufhebung des Beschlusses der Prüfungsstelle für Klasse H 02 M des
Deutschen Patent- und Markenamts vom 9. April 2014 und einer Patenterteilung
gemäß Hilfsantrag 4 führt.

1. Der Senat legt seiner Entscheidung als zuständigen Fachmann einen Fach-
hochschulingenieur der Elektrotechnik mit Berufserfahrung in der Entwicklung
Stromrichterbauelementen, insbesondere Stromrichtermodulen, zu Grunde.

2. Einige Angaben in den Ansprüchen nach Haupt- und Hilfsanträgen bedür-
fen der Erläuterung:

Die Angaben oberer/unter Zweig (u. a. Merkmale M2, M4) und hohes/niedriges
Potential (u. a. Merkmal M4) beziehen sich bei einer Halbbrückenschaltung nach
Figur 17 auf die nachfolgend gekennzeichneten Teile der Schaltung.

- 11 -

Figur 17 der Anmeldung mit Ergänzungen des Senats

Eine Leiterfläche (u. a. Merkmal M52) – in den ursprünglichen Unterlagen „Kup-
ferfläche“ bzw. „Befestigungsmuster“ genannt – ist im Sinne der Anmeldung eine
Fläche zum Verdrahten und/oder Befestigen von elektrischen Bauelementen (vgl.
ursprüngliche Beschreibung, Seite 2, Zeile 3; nach Hauptantrag geltende Be-
schreibung vom 18. November 2008, Seite 2, Zeile 1).

Mit Klemmen des Schaltelements (u. a. Merkmal M82) sind in der Anmeldung die
Anschlüsse des Schaltelements gemeint, also im Fall eines IGBTs, Gate, Emitter
sowie Kollektor (vgl. ursprüngliche Beschreibung, Seite 1, Zeilen 35-40; nach
Hauptantrag geltende Beschreibung vom 18. November 2008, Seite 1, Zeilen 32-
37).

Ein Verbindungspunkt bezeichnet eine beliebige Stelle einer elektrischen Verbin-
dung zwischen wenigstens zwei elektrischen Bauteilen (u. a. Merkmal M4).

Die Angabe „Kapazität“ (u. a. Merkmale M5, M7) wird in der Anmeldung synonym
zu dem Begriff „Kondensator“ verwendet (vgl. ursprüngliche Beschreibung, Sei-
te 2, Zeilen 19-20; nach Hauptantrag geltende Beschreibung vom 18. Novem-
ber 2008, Seite 2, Zeile 17). Parasitär versteht der Fachmann in diesem Zusam-
menhang als mit nachteiligen Wirkungen verbunden und daher unerwünscht.

- 12 -
Die Anweisung, wonach eine erste parasitäre Kapazität kleiner ist, als die zweite
parasitäre Kapazität (Merkmal M6) verwirklicht der Fachmann durch Gestaltung
der physikalischen Größen, die die elektrische Kapazität beeinflussen:

- Größe der Leiterflächen,
- Abstand der Leiterflächen und/oder
- Dielektrizitätskonstante des Materials zwischen den Leiterflächen.

3. Der Hauptantrag ist unzulässig, weil der Gegenstand seines Anspruchs 1
vom 23. Januar 2017 den Gegenstand der Anmeldung erweitert (§ 38
Satz 1 PatG).

a) Die Anweisung im Merkmal M2 des Anspruchs 1 nach Hauptantrag, dass
jede Phase der Brückenschaltung

M2 … von einer auf einer isolierenden Platte (2) angeordneten
Halbbrückenschaltung gebildet wird …,

ist in der ursprünglichen Anmeldung nicht offenbart, insbesondere auch nicht - wie
von der Anmelderin behauptet - auf Seite 2, Zeile 2 der ursprünglichen einge-
reichten Beschreibung. Der Fachmann entnimmt der Anmeldung, insbesondere
der genannten Textstelle, lediglich die Anweisung, eine Keramikplatte zu Isolie-
rung gegenüber einem Kupfersockel vorzusehen. Der im Anspruch 1 verwendete
Begriff der „isolierenden Platte (2)“ umfasst demgegenüber weitere alternative
Materialien. Andere dielektrische Materialien zur Isolierung als Keramik sind an
keiner Stelle der Anmeldeunterlagen offenbart.

b) Weiterhin erweitert auch die Anweisung im Merkmal M6 des Anspruchs 1
nach Hauptantrag, wonach eine erste parasitäre Kapazität

M6 kleiner ist, als

eine zweite parasitäre Kapazität, den Gegenstand der Anmeldung.

- 13 -
Wie erläutert, umfasst diese Anweisung jegliche dem Fachmann bekannte Maß-
nahmen, die kapazitätsbestimmenden Eigenschaften zu beeinflussen. Dazu zählt
auch die Maßnahme, die Dielektrizitätskonstante des Materials zwischen den Lei-
terflächen so zu gestalteten, dass die beanspruchte Wirkung erreicht wird. Keiner
Stelle der ursprünglich eingereichten Unterlagen ist jedoch die konkrete Alterna-
tive betreffend das Dielektrikum entnehmbar.

Der ursprünglichen Anmeldung entnimmt der Fachmann lediglich zwei alternative
Lehren: zum einen die größenmäßige Gestaltung der Fläche der Klemme des
Kollektors C1 bzw. der des Verbindungspunkts C2E1

(vgl. ursprüngliche Beschreibung, Seite 3, Zeile 41 bis Seite 4, Zeile 5:
„… ist die Fläche der Klemme auf der Seite des hohen Potentials (C1)
des oberen Zweigs größer als diejenige des Verbindungspunkts
C2E1 …“;
Seite 5, Zeilen 8-12: „… kann das Kupfermuster 10 (C2E1) … entfernt
werden …“)

und zum anderen die Gestaltung des Abstands des Verbindungspunkts C2E1 vom
Sockel

(vgl. Seite 10, Zeilen 32-37: „… wird der Abstand zwischen der Kupfer-
platte 41 und dem Kupfersockel 1 groß …“).

Die Anweisung im Merkmal M6 – ohne Beschränkung auf Maßnahmen hinsichtlich
der Größe oder des Abstands der Leiterflächen (vgl. etwa die Merkmale M93, M94,
die derartige Beschränkungen enthalten) – erweitert daher den Gegenstand der
Anmeldung.

4. Die Hilfsanträge 1 und 2 sind unzulässig, weil der Gegenstand ihres jeweili-
gen Anspruchs 1 vom 23. Januar 2017 den Gegenstand der Anmeldung erweitert
(§ 38 Satz 1 PatG), da auch die jeweiligen Ansprüche 1 nach den Hilfsanträgen 1
und 2 das nicht ursprungsoffenbarte, erweiternde Merkmal M2 enthalten.

- 14 -
5. Der Gegenstand des Anspruchs 1 nach Hilfsantrag 3 kann zwar als neu
gelten (§ 3 PatG), er beruht jedoch nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit (§ 4
PatG).

Der Senat sieht das Wechselrichtermodul gemäß der Entgegenhaltung
US 5 616 955 A (E2) als den nächstliegenden Stand der Technik an. Diese Ent-
gegenhaltung führt zwar in ihrer Beschreibung nichts zu parasitären Kapazitäten
oder zu Größenverhältnissen von Leiterflächen aus, darauf kommt es jedoch nach
Überzeugung des Senats nicht an. Denn der Fachmann orientiert sich bei der Lö-
sung der Aufgabe, ein Wechselrichtermodul mit verringerten Leitungs- und Strah-
lungsstörungen zu schaffen, nicht nur an der Beschreibung, sondern berücksich-
tigt auch die grafische Darstellung der Schaltungslayouts im Stand der Technik.

Die Entgegenhaltung E2 zeigt verschiedene Ausführungsformen einer Halbbrü-
ckenschaltung. Eine dieser Ausführungsformen, vgl. Figur 1(a) und den dazuge-
hörenden Text, Spalte 4, Zeilen 42-53, offenbart vier Leiterflächen 3a, 3b, 3c und
3d (vgl. Spalte 1, Zeile 45: „… collector pattern part 3a …“, Spalte 4, Zeile 42:
„… emitter pattern part 3d …“). Die elektrische Verbindung zwischen dem Emitter
E1 des Schaltelements Tr1 im oberen Zweig und dem Kollektor C2 des Schalt-
elements Tr2 im unteren Zweig (vgl. Figur 1(b)) erfolgt dort über eine Verdrahtung
des Emitters E1 von Tr1 mit der Leiterfläche 3d über die Brücke 13 und schließlich
über die Leiterfläche 3b, auf der der Kollektor C2 von Tr2 befestigt ist. Die Verbin-
dung hat der Fachmann also dort nicht etwa über eine einzige zusammenhän-
gende Leiterfläche, sondern durch zwei voneinander getrennte Flächen 3b und 3d
realisiert, die durch eine Brücke 13 voneinander getrennt sind.


Figur 1(a) aus der E2 mit Hervorhebungen des Senats
- 15 -
Diese Brücke 13 weist eine definierte Induktivität l1 auf (vgl. Figur 2, Bezugszei-
chen 13) und trennt für hochfrequente Ströme die Flächen 3d und 3b besonders
wirksam voneinander.

Die Entgegenhaltung E2 offenbart somit, ausgedrückt in den Worten des An-
spruchs 1 nach Hilfsantrag 3, ein

M1 Wechselrichtermodul für einen Stromrichter, das eine oder
mehrere in einem Gehäuse
(mitzulesen auf Grund Spalte 2, Zeilen 45-53:
„… may be packaged as a minimum unit …“)
untergebrachte Phasen einer Brückenschaltung aufweist
(Spalte 1, Zeilen 11-15: „… half bridge strukture ...“),
M23teilweise wobei jede Phase von einer auf einer isolierenden Platte 2
(Spalte 4, Zeile 43: „… an insulating substrate 2 ...“)
angeordneten Halbbrückenschaltung gebildet wird, die einen
unteren und einen oberen Zweig mit jeweils einem Schalt-
element Tr1, Tr2 und einer anti-parallel dazu geschalteten
Diode D1, D2 aufweist (Figur 1(b)),


Figur 1(b) aus der E2

M3 wobei das Wechselrichtermodul einen plattenförmigen
Sockel 1 aus einem elektrisch leitendem Material
(vgl. Spalte 5, Zeile 64: “… on a heat dissipating
metal base 1.”)
- 16 -
zur Kühlung außerhalb des Gehäuses besitzt
(ohne weiteres mitzulesen),
M83 wobei das Schaltelement Tr1 des oberen Zweigs einen
ersten Kollektor C1 auf der Seite des höheren Potentials des
oberen Zweigs und einen ersten Emitter E1 auf der Seite des
niedrigen Potentials des oberen Zweigs aufweist, und
wobei das Schaltelement Tr2 des unteren Zweigs einen
zweiten Kollektor C2 auf der Seite des höheren Potentials
des unteren Zweigs und einen zweiten Emitter E2 auf der
Seite des niedrigen Potentials des unteren Zweigs aufweist,
und
(Figur 1(b)),
M53 wobei eine zwischen einem Verbindungspunkt C2E1 des
ersten Emitters E1 und des zweiten Kollektors C2
(Spalte 4, Zeile 42: „… an emitter pattern part 3d …“;
jede beliebige Stelle der elektrischen Verbindung
zwischen E1 und C2 stellt einen Verbindungspunkt
dar)
und dem Sockel 1 wirkende erste parasitäre Kapazität
(Die durch das isolierende Substrat 2 getrennte
Leiterfläche 3d und der Sockel 1, vgl. Figur 2, bilden
eine erste parasitäre Kapazität.),


Figur 2 aus der E2 mit Hervorhebungen durch den Senat

die durch eine erste Leiterfläche 3d, die mit dem ersten Emi-
tter E1 auf der Seite des niedrigen Potentials des oberen
- 17 -
Zweigs und dem zweiten Kollektor C2 auf der Seite des
hohen Potentials des unteren Zweigs elektrisch verbunden
ist, und den Sockel 1 gebildet wird, und
(Figur 2)
M73 eine zwischen dem ersten Kollektor C1
(Spalte 1, Zeile 45: „… collector pattern part 3a …”)
und dem Sockel 1 wirkende zweite parasitäre Kapazität
(Die durch das isolierende Substrat 2 getrennte
Leiterfläche 3a und der Sockel 1, vgl. Figur 2, bilden
eine zweite parasitäre Kapazität.),
die durch eine zweite Leiterfläche 3a, die mit einer Klemme
C1 auf der Seite des hohen Potentials des oberen Zweigs
elektrisch verbunden ist, und den Sockel 1 gebildet wird
(Figur 2),
wobei die Halbbrückenschaltung derart ausgelegt ist, dass
M93 die zweite Leiterfläche 3a auf der Seite des hohen Potentials
des oberen Zweigs größer ist, als die erste Leiterfläche 3d
(Die Leiterfläche 3a in Figur 1(a) ist ersichtlich größer
als die Leiterfläche 3d.)
des Verbindungspunktes C2E1 des ersten Emitters E1 auf
der Seite des oberen Zweigs und des zweiten Kollektors C2
auf der Seite des unteren Zweigs,
(Figur 1(a)),
derart, dass die zweite parasitäre Kapazität (auf Grund der
Leiterfläche 3a) auf der Seite des hohen Potentials des
oberen Zweigs größer ist als die erste parasitäre Kapazität
(auf Grund der Leiterfläche 3d) zwischen dem Verbindungs-
punkt C2E1 und des ersten Emitters E1 auf der Seite des
oberen Zweigs
(Bei gleichem Abstand der Leiterflächen 3a, 3d vom
Sockel 1, vgl. Figur 2, und identischen Dielektrikum,
vgl. Spalte 4, Zeile 43, wird das Größenverhältnis der
beiden parasitären Kapazitäten im Wesentlichen vom
Flächenverhältnis der Leiterflächen 3d, 3a be-
stimmt.),
- 18 -
und die erste parasitäre Kapazität durch die zweite parasi-
täre Kapazität geladen wird
(Da die erste parasitäre Kapazität eine größere
Ladungsmenge als die zweite Kapazität speichert,
lädt sie selbstverständlich die zweite Kapazität auf.).

Die Entgegenhaltung E2 enthält keine Aussagen zum Material der isolierenden
Platte 2, insbesondere offenbart sie nicht, eine Keramikplatte zu verwenden (Rest-
merkmal M23).

Der Gegenstand des Anspruchs 1 mag daher gegenüber dem Stand der Technik
nach der Entgegenhaltung E2 als neu gelten.

Er beruht jedoch nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit, denn der Fachmann zieht
mangels Angaben in der Entgegenhaltung E2 für das Trägersubstrat auch
Keramik in Betracht, wie beispielsweise in der Entgegenhaltung
DE 10 2006 028 358 A1 (E4) (vgl. Absatz 0007) erwähnt ist.

Der Einwand der Anmelderin, bei dem Ausführungsbeispiel aus der Entgegenhal-
tung E2 würden sowohl die Leiterfläche 3d als auch die Leiterfläche 3b zu der
ersten parasitären Kapazität beitragen, die Fläche bzw. parasitäre Kapazität der
Leiterfläche 3d könne daher nicht isoliert für sich allein betrachtet werden, führt zu
keinem anderen Ergebnis. Der Anspruch 1 nach Hilfsantrag 3 enthält im Merkmal
M53 lediglich Anweisungen in Bezug auf eine parasitäre Kapazität, die zwischen
einem Verbindungspunkt (C2E1) und dem Sockel wirkt, und die durch eine erste
Leiterfläche und den Sockel gebildet wird. Der Anspruch 1 schließt es nicht aus,
dass noch weitere Leiterflächen existieren, die weitere parasitäre Kapazitäten bil-
den. So zeigt auch das Ausführungsbeispiel gemäß Figur 2 der Anmeldung den
Fall, dass neben der parasitären Kapazität durch die Leiterfläche 4 noch eine
weitere parasitäre Kapazität wirkt, die von der Klemme des Emitters E1 des
Schaltelements im oberen Zweig und dem Sockel gebildet wird. Ähnliches gilt für
das Ausführungsbeispiel gemäß Figur 4 der Anmeldung in Bezug auf die parasitä-
ren Kapazitäten der Klemmen des Emitters E1 sowie des Kollektors C2.

- 19 -
6. Der Fassung der Patentansprüche nach Hilfsantrag 4 stehen einer Patent-
erteilung keine Hinderungsgründe entgegen.

6.1 Die nach Hilfsantrag 4 gegenüber den ursprünglich eingereichten Unter-
lagen vorgenommenen Änderungen sind zulässig (§ 38 Satz 1 PatG).

Die Merkmale des Anspruchs 1 nach Hilfsantrag 4 sind wie folgt ursprungs-
offenbart:

M1 ursprünglicher Anspruch 1;
Der Aufbau als Brückenschaltung ergibt sich für den
Fachmann bspw. aus der Darstellung des Standes der
Technik in den ursprünglichen Figur 13, 14, 17 i. V. m
der ursprünglichen Beschreibung, Seite 1, Zeilen 12-16,
in der sinngemäß ausgeführt ist, dass die vorliegende
Erfindung ein Modul betrifft, welches durch Verbessern
eines Aufbaus eines Wechselrichtermoduls geschaffen
wird und Figur 13 ein Schaltbild eines herkömmlichen
Wechselrichters ist.
M23 ursprünglicher Anspruch 1;
Dass jede Phase der Brückenschaltung von einer Halb-
brückenschaltung gebildet wird, ergibt sich für den
Fachmann ebenfalls aus den Figur 13, 14, 17 vom An-
meldetag.
Die Anordnung der Schaltung auf einer „isolierenden
Keramikplatte“ ist in der Beschreibung vom Anmelde-
tag, Seite 2, Zeile 2 offenbart.
M3 ursprünglicher Anspruch 1;
Die Kennzeichnung des Sockels (1) als „plattenförmig
... aus einem elektrisch leitendem Material“ ist durch die
ursprüngliche Beschreibung, Seite 1, Zeile 41 offenbart:
„Kühlkörper 28 … aus einer Kupferplatte (einem Kup-
fersockel 1)“; der Fachmann liest bei der Erwähnung
eines Kühlkörpers im Zusammenhang mit Leistungs-
halbleitern ohne Weiteres mit, dass dieser aus einem
- 20 -
elektrisch leitfähig Material besteht. Daher erkennt er im
vorliegenden Fall Kupfer ausnahmsweise als besonders
geeignetes Material, ohne dies als abschließende Aus-
wahl zu verstehen.
M82 Klemmen des Schaltelements auf der Seite des niedri-
gen bzw. hohen Potentials sind als Ausgangselektroden
C1, E2, C2E1 bzw. als Emitterklemmen der IGBT-Ele-
mente auf der Seite des oberen Zweigs und der Seite
des unteren Zweigs in der Beschreibung vom Anmel-
detag, Seite 1, Zeilen 35-42, i. V. m. Figur 13 ur-
sprungsoffenbart.
M52, M72 Erste/zweite parasitäre Kapazitäten (35, 36) entnimmt
der Fachmann der ursprünglichen Beschreibung,
Seite 2, Zeilen 20-24, in Form der Kapazitäten zwi-
schen dem Kollektor auf der Seite des oberen Zweigs
C1 und dem Kupfersockel 1 und zwischen dem Verbin-
dungspunkt C2E1 des Emitters auf der Seite des obe-
ren Zweigs und des Kollektors auf der Seite des unte-
ren Zweigs und dem Kupfersockel 1.
Erste/zweite Leiterflächen (3, 4) sind als erste/zweite
Befestigungsmuster im ursprünglichen Anspruch 1 of-
fenbart.
M94 ursprünglicher Anspruch 1;
Dass die erste parasitäre Kapazität (35) durch die
zweite parasitäre Kapazität (36) geladen wird, ist offen-
bart in der ursprünglichen Beschreibung, Seite 4, Zeilen
5, 6.
Dass das Schaltelement (6) des unteren Zweigs auf der
ersten und das Schaltelement des oberen Zweigs auf
der zweiten Leiterfläche befestigt ist, ist offenbart in der
ursprünglichen Beschreibung, Seite 7, Zeile 38 bis
Seite 8, Zeile 1 und den ursprünglichen Figur 1, 2.

Die von dem des Anspruchs 1 abweichenden Merkmale des Anspruchs 2 sind wie
folgt ursprungsoffenbart:
- 21 -
M95, M105 ursprünglicher Anspruch 1, ursprüngliche Beschreibung
Seite 4, Zeilen 5, 6;
Der konkrete Befestigungsort der Schaltelemente ist of-
fenbart in der ursprünglichen Beschreibung, Seite 8,
Zeilen 32-37 und den ursprünglichen Figur 3, 4.

6.2 Der Gegenstand des Anspruchs 1 nach Hilfsantrag 4 gilt als neu (§ 3 PatG).

6.2.1 Der Gegenstand des Anspruchs 1 nach Hilfsantrag 4 gilt gegenüber dem
Stand der Technik nach der Entgegenhaltung E2 als neu.

Die Anweisungen im Oberbegriff des Anspruchs 1 nach Hilfsantrag 4 sind bis auf
das Restmerkmal in M23 betreffend die Keramikplatte aus den vorstehend zum
Hilfsantrag 3 genannten Gründen aus der Entgegenhaltung E2 entnehmbar, denn
die Anweisungen im Oberbegriff des Anspruchs 1 nach Hilfsantrag 4 sind nur eine
Teilmenge derjenigen des Hilfsantrags 3.

Die Entgegenhaltung E2 offenbart weiterhin, ausgedrückt in den Worten des
Kennzeichens des Anspruchs 1 nach Hilfsantrag 4, dass die Halbbrückenschal-
tung derart ausgelegt ist, dass

M94teilweise die erste parasitäre Kapazität (auf Grund der ersten Leiterflä-
che 3d) durch die zweite parasitäre Kapazität (auf Grund der
zweiten Leiterfläche 3a) geladen wird
(Da die größere erste parasitäre Kapazität eine grö-
ßere Ladungsmenge als die zweite Kapazität spei-
chert, lädt sie die zweite Kapazität auf.),
indem die erste Leiterfläche 3d kleiner als die zweite Leiter-
fläche 3a, auf der das Schaltelement Tr1 des oberen Zweigs
befestigt ist, bemessen ist.
(Die Leiterfläche 3d in Figur 1(a) ist ersichtlich kleiner
als die Leiterfläche 3a, auf der der Transistor Tr1
befestigt ist.)

- 22 -
Die Entgegenhaltung E2 offenbart somit weder eine Keramikplatte zur Isolierung
(Restmerkmal M23) noch, dass das Schaltelement des unteren Zweigs auf der
kleineren ersten Leiterfläche befestigt ist (Restmerkmal M94).

6.2.2 Der Gegenstand des Anspruchs 1 nach Hilfsantrag 4 gilt auch gegenüber
den übrigen im Verfahren genannten Entgegenhaltungen, die weiter ab liegen, als
neu.

Den übrigen von der Prüfungsstelle in Betracht gezogene Entgegenhaltungen
kann insbesondere kein Hinweis darauf entnommen werden, die Größe der ent-
sprechenden Leiterflächen der Schaltelemente so unterschiedlich zu bemessen,
dass die erste parasitäre Kapazität durch die zweite parasitäre Kapazität geladen
wird (Merkmal M94). Auf weitere Unterscheidungsmerkmale kommt es dann nicht
mehr an.

Im Besonderen steht auch die von der Prüfungsstelle herangezogene Entgegen-
haltung JP 2007-142073 A (= E5) dem Gegenstand des Patentanspruchs 1 nicht
neuheitsschädlich entgegen. Zwar offenbart sie in den Figuren 1 und 1a einen
dreiphasigen Stromrichtermodul, bei diesem sind die Phasen aber nicht voneinan-
der getrennt (Teilmerkmal M23).

6.3 Der Gegenstand des Anspruchs 1 nach Hilfsantrag 4 gilt des Weiteren als
auf einer erfinderischen Tätigkeit beruhend (§ 4 PatG).

6.3.1 Der Gegenstand des Anspruchs 1 nach Hilfsantrag 4 ergibt sich für den
Fachmann nicht in naheliegender Weise aus der Entgegenhaltung
US 5 616 955 A (E2).

Es besteht weder eine Veranlassung für den Fachmann von der in der Entgegen-
haltung E2 gelehrten Trennung der Leiterflächen 3d, 3b abzugehen, noch Veran-
lassung, das Schaltelement Tr2 des unteren Zweigs auf der Leiterfläche 3d zu
befestigen. Denn die Verbindung der beiden Leiterflächen 3b, 3d durch die Brücke
13 mit definierter Induktivität l1 hat den Zweck, dass in der Induktivität l1 bei ei-
nem Stromfluss durch die Freilaufdiode auf Grund Gegeninduktion eine Spannung
induziert wird, die über die Anschlussklemme e1 an das Gate des Schaltelements
- 23 -
Tr1 des oberen Zweig gelegt werden kann, um ein symmetrisches Schaltverhalten
zwischen dem oberen und dem unteren Zweig zu erreichen (Spalte 5, Zeilen 12-
25 und Figur 12).

6.3.2 Auch ausgehend von den weiteren im Verfahren genannten Entgegenhal-
tungen kommt der Fachmann nicht in naheliegender Weise zum Gegenstand des
Anspruchs 1 nach Hilfsantrag 4.

Insbesondere kommt der Fachmann ausgehend von der von der Prüfungsstelle
herangezogenen JP 2007-142073 A (E5) nicht in naheliegender Weise zum Ge-
genstand des Anspruchs 1 nach Hilfsantrag 4. Der Fachmann mag noch Veran-
lassung haben, die einzelnen Phasen der dort offenbarten Brückenschaltung zu
separieren (Restmerkmal M23). Eine für eine einzige Phase separierte Leiterfläche
72a auf der Seite des hohen Potentials des oberen Zweigs würde sich dann je-
doch größenmäßig nicht mehr von der Leiterfläche 72b, 72c oder 72d unterschei-
den. Eine Veranlassung des Fachmanns dahingehend, in einem weiteren Schritt
unter Beibehaltung der Größe der Leiterfläche auf der Seite des hohen Potentials
des oberen Zweigs ausschließlich die Leiterflächen 72b, 72c, 72d zu verkleinern
(Merkmal M94), kann der Senat nicht erkennen.

Zur Dimensionierung der Leiterflächen der Schaltelemente mit dem Ziel der an-
spruchsgemäßen Ladung der ersten parasitären Kapazität durch die zweite para-
sitäre Kapazität liefern die anderen Druckschriften zur Überzeugung des Senats
keinerlei Anregungen.

6.4 Der Gegenstand des nebengeordneten Anspruchs 2 nach Hilfsantrag 4 gilt
als neu (§ 3 PatG).

6.4.1 Der nebengeordnete Anspruch 2 nach Hilfsantrag 4 unterscheidet sich von
dem Anspruch 1 durch das geänderte Merkmale M95 und das zusätzliche Merkmal
M105.

Die Entgegenhaltung E2 offenbart, ausgedrückt in den Worten des Kennzeichens
des Anspruchs 2 nach Hilfsantrag 4, dass die Halbbrückenschaltung derart aus-
gelegt ist, dass
- 24 -
M95 die erste parasitäre Kapazität (auf Grund der ersten Leiterflä-
che 3d) durch die zweite parasitäre Kapazität (auf Grund der
zweiten Leiterfläche 3a) geladen wird, indem die erste Lei-
terfläche 3d kleiner als die zweite Leiterfläche 3a
(vgl. die vorstehenden Überlegungen zum Merkmal
M94 des Anspruchs 1),
auf der das Schaltelement Tr1 des oberen Zweigs befestigt
ist, bemessen ist
(Figur 1(a)),
M105teilweise und das Schaltelement Tr2 des unteren Zweigs auf einer
dritten Leiterfläche 3b, die mit einer Klemme C2E1 auf der
Seite des hohen Potentials des unteren Zweigs elektrisch
verbunden ist, befestigt ist
(Nach der Entgegenhaltung E2 ist das Schaltelement
Tr2 mit der Kollektorklemme C2 auf der Leiterfläche
3b befestigt, vgl. Figur 1(a) und 1(b)).

Der Gegenstand des Anspruchs 2 nach Hilfsantrag 4 unterscheidet sich somit von
dem aus der Entgegenhaltung E2 durch die Verwendung einer isolierenden Kera-
mikplatte (Restmerkmal M23) und die „umgedrehte“ Befestigung des Schaltele-
ments des unteren Zweigs auf der dritten Leiterfläche (Restmerkmal M105), wo-
nach nunmehr das Schaltelement des unteren Zweigs mit seinem Emitter auf der
dritten Leiterfläche befestigt ist.

Der Gegenstand des Anspruchs 2 nach Hilfsantrag 4 gilt daher gegenüber dem
Stand der Technik nach der Entgegenhaltung E2 als neu.

6.4.2 Der Gegenstand des Anspruchs 2 nach Hilfsantrag 4 gilt aus den zum Pa-
tentanspruch 1 aufgezeigten Gründen auch gegenüber den übrigen im Verfahren
genannten Entgegenhaltungen als neu.

6.5 Der Gegenstand des Anspruchs 2 nach Hilfsantrag 4 gilt als auf einer erfin-
derischen Tätigkeit beruhend (§ 4 PatG).

- 25 -
6.5.1 Der Gegenstand des Anspruchs 2 nach Hilfsantrag 4 ergibt sich für den
Fachmann nicht in naheliegender Weise aus der Entgegenhaltung
US 5 616 955 A (E2).

Nach Überzeugung des Senats hatte der Fachmann keine Veranlassung, von der
in der Entgegenhaltung E2 gelehrten kollektorseitigen Befestigung des Schaltele-
ments Tr2 im unteren Zweig auf der dritten Leiterfläche 3b abzugehen und statt-
dessen eine emitterseitige Befestigung in Betracht zu ziehen. Die „umgedrehte“
Anordnung des Schaltelements hätte zwar die vorteilhafte Folge, weitere parasi-
täre Kapazitäten zu verkleinern. Bei einer solchen Anordnung müsste jedoch auch
die Brücke 13 zwischen den Leiterflächen 3d und 3b entfallen, da die Leiterflächen
3d, 3b ein unterschiedliches Potential aufweisen würden, insbesondere würde die
Leiterfläche 3b keine durch Schalten verursachten Potentialschwankungen mehr
zeigen und durch Gegeninduktion keine Spannung in der – auch entfallenen –
Brücke 13 erzeugbar sein, mit der nachteiligen Folge, dass das gewünschte sym-
metrische Schaltverhalten zwischen dem oberen und dem unteren Zweig nicht
aufrecht erhalten werden könnte (vgl. Entgegenhaltung E2, Spalte 5, Zeilen 16-25
und Figur 12).

Eine Veranlassung des Fachmanns zu dieser zwar geringfügig erscheinenden Ab-
wandlung des Schaltungslayouts aus der Entgegenhaltung E2, die jedoch nach-
teilige Auswirkungen auf das Schaltverhalten des Wechselrichtermoduls hätte,
kann der Senat nicht erkennen.

6.5.2 Auch ausgehend von den weiteren im Verfahren genannten Entgegenhal-
tungen kommt der Fachmann nicht in naheliegender Weise zum Gegenstand des
Anspruchs 2 nach Hilfsantrag 4.

Insbesondere gibt die von der Prüfungsstelle herangezogenen JP 2007-142073 A
(E5) dem Fachmann keinerlei Veranlassung die zweiten Leiterflächen 72b, 72c,
72d zu teilen, um eine dritte Leiterfläche zu schaffen, und auf dieser das Schalt-
element Tr2 des unteren Zweigs mit seinem Emitter zu befestigen.

Im Übrigen gelten die Erwägungen des Senats zum Patentanspruch 1 gemäß
Hilfsantrag 4 auch für den Patentanspruch 2.
- 26 -
6.6 Nachdem auch die sonstigen Unterlagen nach Hilfsantrag 4 (Beschreibung,
Zeichnungen) die an sie zu stellenden Anforderungen erfüllen, war das Pa-
tent - unter Aufhebung des angefochtenen Beschlusses – in der Fassung des
Hilfsantrags 4 zu erteilen.

7. Im Übrigen, soweit die Anmelderin die Erteilung eines Patents gemäß
Hauptantrag und Hilfsanträgen 1 bis 3 begehrt, war die Beschwerde aus den oben
unter Ziffern 3 bis 5 genannten Gründen zurückzuweisen.


Rechtsmittelbelehrung

Gegen diesen Beschluss steht den an dem Beschwerdeverfahren Beteiligten das
Rechtsmittel der Rechtsbeschwerde zu (§ 99 Abs. 2, § 100 Abs. 1, § 101 Abs. 1
PatG).

Nachdem der Beschwerdesenat in dem Beschluss die Einlegung der Rechtsbe-
schwerde nicht zugelassen hat, ist die Rechtsbeschwerde nur statthaft, wenn
einer der nachfolgenden Verfahrensmängel durch substanziierten Vortrag gerügt
wird (§ 100 Abs. 3 PatG):

1. Das beschließende Gericht war nicht vorschriftsmäßig besetzt.
2. Bei dem Beschluss hat ein Richter mitgewirkt, der von der
Ausübung des Richteramtes kraft Gesetzes ausgeschlossen
oder wegen Besorgnis der Befangenheit mit Erfolg abgelehnt
war.
3. Einem Beteiligten war das rechtliche Gehör versagt.
4. Ein Beteiligter war im Verfahren nicht nach Vorschrift des
Gesetzes vertreten, sofern er nicht der Führung des Verfahrens
ausdrücklich oder stillschweigend zugestimmt hat.
- 27 -
5. Der Beschluss ist aufgrund einer mündlichen Verhandlung
ergangen, bei der die Vorschriften über die Öffentlichkeit des
Verfahrens verletzt worden sind.
6. Der Beschluss ist nicht mit Gründen versehen.

Die Rechtsbeschwerde ist innerhalb eines Monats nach Zustellung des Beschlus-
ses beim Bundesgerichtshof, Herrenstraße 45a, 76133 Karlsruhe, schriftlich
einzulegen (§ 102 Abs. 1 PatG).

Die Rechtsbeschwerde kann auch als elektronisches Dokument, das mit einer
qualifizierten oder fortgeschrittenen elektronischen Signatur zu versehen ist, durch
Übertragung in die elektronische Poststelle des Bundesgerichtshofes eingelegt
werden (§ 125a Abs. 3 Nr. 1 PatG i. V. m. § 1, § 2 Abs. 1 Satz 1, Abs. 2, Abs. 2a,
Anlage (zu § 1) Nr. 6 der Verordnung über den elektronischen Rechtsverkehr beim
Bundesgerichtshof und Bundespatentgericht (BGH/BPatGERVV)). Die elektro-
nische Poststelle ist über die auf der Internetseite des Bundesgerichtshofes
www.bundesgerichtshof.de/erv.html bezeichneten Kommunikationswege erreich-
bar (§ 2 Abs. 1 Satz 2 Nr. 1 BGH/BPatGERVV). Dort sind auch die Einzelheiten zu
den Betriebsvoraussetzungen bekanntgegeben (§ 3 BGH/BPatGERVV).

Die Rechtsbeschwerde muss durch einen beim Bundesgerichtshof zugelassenen
Rechtsanwalt als Bevollmächtigten des Rechtsbeschwerdeführers eingelegt wer-
den (§ 102 Abs. 5 Satz 1 PatG).


Kleinschmidt Kirschneck J. Müller Arnoldi

Ko



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